TMS320C6678存储器访问性能

，每个写操作都会导致一个cache行的回写 (之前的数据因为冲突而被替换/回写)和一个cache行的读入(新的数据被分配到cache中)。

当地址偏移大于512bytes时，DDR页（行）切换开销成为性能下降的主要因素。C6678 EVM上的DDR页（行）大小或bank宽度是8KB，而DDR3存储器包含8个banks。最坏的情况是，当访问地址偏移量是64KB时，每个读或写操作都会访问相同bank中一个新的行，而这种行切换会增加大约40个时钟周期的时延。请注意，不同的DDR存储器的时延可能会不一样。