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STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术

时间:11-20 来源:单片机与嵌入式系统应用 点击:

和信号的调整。根据选用的存储器芯片确定需要配置的存储器特征,主要包括以下方面:

①存储器类型(MTYPE)是SRAM/ROM、PSRAM,还是NOR Flash;

②存储芯片的地址和数据引脚是否复用(MUXEN),FSMC可以直接与AD0~AD15复用的存储器相连,不需要增加外部器件;

③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度;

④对于NOR Flash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN);

⑤对于NOR Flash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL);

⑥对于该存储芯片的读/写操作,是否采用相同的时序参数来确定时序关系(EXTMOD)。

(3)配置存储器时序参数

FSMC通过使用可编程的存储器时序参数寄存器,拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。FSMC的NORFlash控制器支持同步和异步突发两种访问方式。选用同步突发访问方式时,FSMC将HCLK(系统时钟)分频后,发送给外部存储器作为同步时钟信号FSMC_CLK。此时需要的设置的时间参数有2个:

①HCLK与FSMC_CLK的分频系数(CLKdiv),可以为2~16分频;

②同步突发访问中获得第1个数据所需要的等待延迟(DATLAT)。

对于异步突发访问方式,FSMC主要设置3个时间参数:地址建立时间(ADDSET)、数据建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。FSMC综合了SRAM/ROM、PSRAM和NOR Flash产品的信号特点,定义了4种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时,需要设置不同的时序参数,如表2所列。在实际扩展时,根据选用存储器的特征确定时序模型,从而确定各时间参数与存储器读/写周期参数指标之间的计算关系;利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标,可计算出FSMC所需要的各时间参数,从而对时间参数寄存器进行合理的配置。


3STM32扩展S29GL系列NOR Flash实例

3.1S29GL系列NOR Flash简介

Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90 nm技术制造的高集成度NOR Flash存储芯片,提供16~128 MB可选容量,支持最快25 ns的页访问速度和110 ns的随机访问速度,带有最大64字节的写缓冲区,以提供更快、更高效的编程,是嵌入式系统设计中大容量存储器扩展的理想选择。本文选用的型号为S29GL512P,容量为512×64K字(总容量64 MB),扩展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。

3.2 STM32与S29GL512P的电路连接

S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字/字节),区别在于:

①对于芯片引脚DQ15,字模式时传送最高数据位D15;字节模式时传送最低地址A-1。

②字模式时,数据引脚D0~D15上传送数据信号;字节模式时,只有D0~D7上有信号。

此处,将BYTE上拉到高电平,选择16位的字访问单位。FSMC数据线FSMC_D[15:0]与S29GL512P的D15~D0对应连接;FSMC地址线FSMC_A[25:0]的低25根与S29GL512P的地址线A[24:0]对应连接。

由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2,可确定其片选线应连接FSMC片选控制线FSMC_NE2。S29GL512P的RY/BY引脚连接FSMC的FSMC_NWAIT引脚,提供等待信号。

3.3 FSMC的配置

根据S29GL512P的映射位置,需要对FSMC_BCR2和FSMC_BTR2/BWTR2寄存器进行配置。

(1)FSMC_BCR2

配置S29GL512P的读/写采用统一时间参数,只需要设置时问寄存器FSMC_BTR2。配置存储器类型为NOR Flash,数据总线宽度为16位(字),不采用地址/数据复用,使能BANK1的子BANK2。

(2)FSMC_BTR2

由表2可知,异步NOR Flash时序模型Mode2/B需要设置时问参数DATAST和ADDSET。根据时序图,两个参数的计算公式如下:

式中:Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度;Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。

根据S29GL512P用户手册,可知参数Twc=Trc=130 ns,Twp=35 ns。设STM32微控制器采用72 MHz主频,则HCLK=(1/72×10-6)s。通过上述公式计算,可取值为:DATAST=2,ADDSET=5。

为了达到更好的控制效果,还应考虑FSMC自身延迟问题,使用校正公式:

式中:TAVQV为所选存储芯片访问过程中,从地址有效至数据有效的时间域;Tsu(Data_NE)为STM32特征参数,从数据有效到FSMC_NE(片选)失效时间域;Ttv(A_NE)为STM32特征参数,从FSMC_NE有效至地址有效的时间域。

TAVQV=130 ns,Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE)=36 ns,对DATAST参数进行校正,可得DATAST=3。

3.4应用STM32固件对FSMC进行初始化配置

ST公司为用户开发提供了完整、高效的工具和固件库,其中使用C语言编写的固件库提供了覆盖所有标准外设的函数,使用户无需使用汇编操作外设特性,从而提高了程序的可读性和易维护性。

STM32固件库中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件,主要包括2个数据结构和3个函数。

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