收购Wolfspeed，英飞凌或垄断SiC市场

7月14日，英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的核心技术，近2000项专利与550名员工。用英飞凌首席执行官Reinhard Ploss的话说就是："收购Wolfspeed以后，我们将成为全球最大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也有机会争第一。"

Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来独立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。

左：英飞凌CEO Reinhard Ploss

右：科锐董事长兼CEO Chuck Swoboda

碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是国防军工、大功率工业设备与毫米波通信等产业的核心。相比硅和砷化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。

氮化镓（GaN）在射频市场前景广阔

以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率更高，也能够耐受更高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的完美替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？

硅与碳化硅和氮化镓比较

答案就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求极为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年全球硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。

碳化硅的高成本主要是因为碳化硅材料较传统硅材料硬度高很多，因此在生成晶体 的时候就容易出现缺陷，此外过硬也会导致生成晶体的速度变得很慢，晶圆的尺寸也做不大，现在只能做到6英寸，还有一些采用4英寸晶圆生产。合格率低与生产速度慢，所以碳化硅的价格相比IGBT工艺高太多。

虽然宽禁带半导体性能出色，但由于生产技术进展缓慢，成本高昂，所以市场增速不够理想，这或许是科锐卖掉Wolfspeed的最大原因。

英飞凌加科锐占据大部分SiC（碳化硅）市场份额

根据Yole的数据，英飞凌加上科锐，在全球碳化硅市场占了近70%的份额。继2015年完成收购IR以后，英飞凌再下一城，在大功率半导体市场已经是一家独大。

市场调研公司Lux Research在2015年9月的一份报告中，根据之前5年的专利布局、收购行为、投资与合作以及新产品推出状况等五方面，比较了全球功率电子厂商的优劣。Lux Research认为无论从什么标准来看，英飞凌都是功率电子市场的赢家，不但市场规模比其他公司至少高一倍，而且在创新与执行力上都遥遥领先竞争对手。

英飞凌在功率电子市场一家独大

收购Wolfspeed以后，在碳化硅等半导体新材料方面，已经呈现英飞凌垄断的趋势，对于国际国内半导体功率器件厂商来说，这不是一个好消息。

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