英飞凌蓄谋SiC MOSFET已久，产品的确有模有样

全球最大的功率半导体厂商英飞凌科技终于要开始量产碳化硅（SiC） MOSFET了（英文发布资料）。该公司将从2016年下半年开始面向特定用途供应样品，从2017年开始量产。英飞凌早在2001年就先于竞争对手推出了SiC二极管产品。SiC晶体管方面，现在竞争对手都在生产SiC MOSFET，而该公司目前只推出了SiC JFET。虽然英飞凌研发SiC MOSFET已有很长时间，但此次是第一次公布产品化时间。

英飞凌即将推出的SiC MOSFET是可以更大幅降低损耗的"沟道型"。导通电阻只有现在SiC MOSFET产品通常采用的"平面型"的几分之一。因此，这种元件被视作能激发SiC材料潜能的"真命元件"。

目前已推出沟道型SiC MOSFET的厂商只有罗姆等少数厂商。

在SiC MOSFET方面，英飞凌将首先推出耐压1200V的产品。其导通电阻为45mΩ，可以像普通的Si IGBT一样，在栅极电压-5V、栅极电压+15V的条件下驱动。阈值电压为+4V。将封装在3端子或4端子的TO-247封装中销售，适用于光伏发电系统的逆变器、UPS及蓄电池系统等。还将推出模块产品，具体就是该公司的半桥型模块"Easy1B"系列。

新产品将在2016年5月10～12日（当地时间）于德国纽伦堡举行的功率元件及功率电子产品领域的世界最大规模展会"PCIM Europe 2016"上展出。