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6-36V输入升降压型大功率LED驱动芯片

时间:09-28 来源:EDN 点击:

继成功推出应用于MR16射灯的6-36V输入1A大功率迟滞型LED驱动芯片SD42525和应用于LED路灯/照明灯的6-60V输入1A大功率LED驱动芯片SD42528后,杭州士兰微电子公司近期又推出了一款6~36V输入,升降压型大功率LED驱动芯片SD42560。该芯片是升降压、恒流型LED驱动电路,采用了士兰微电子专为绿色节能产品所开发的高性能BCD工艺技术,单芯片集成LDMOS功率开关管,内置PWM调光模块和多重保护功能,具有较高的转换效率,适合于MR16等多种LED照明领域。

  由于是电流模式的LED驱动电路,SD42560因而具有快速的瞬态响应,环路稳定性设计简单,恒流特性好,可应用于降压(Buck)/升压(Boost)/升降压(Buck-Boost)三种模式,以满足不同的LED应用场合。该芯片在不同输入电压、不同LED负载情况下,输出电流变化率可以控制在±1%之内。此外,由于芯片采用士兰微电子先进的 BCD工艺,并且内部使用了高精度的修调技术,使得芯片的输出电流一致性非常好,不同批次的芯片输出电流差异可以控制在±2%之内。

  芯片采用了先进的系统架构,系统效率高,降压/升压/升降压三种模式的最高系统效率分别可以达到96%,95%和83%。由于在单芯片内集成的LDMOS管具有低于0.3Ω的导通电阻,因而减小了芯片在功率管的导通周期内的导通损耗。同时,该芯片拥有100mV这样较小的采样电压,从而大幅度提高了电路的能量转换效率。芯片采用了ESOP-8的封装形式,管芯发热小,散热性能优良。

  由于采用了PWM调光和内部稳压技术,SD42560的PWM调光的精度高,不会出现类似模拟调光的LED颜色偏移的现象,可以满足在100Hz~2kHz范围内从0~100%的调光要求。芯片内部集成LDO,产生VDD电压,可以作为调光用MCU的电源,使客户在系统开发过程中更加便利。

  另外,芯片内置了抖频功能,可以确保芯片内部振荡频率在一个很小的范围内进行抖动,使集中的频谱能量分散化,减小在单一频率的对外辐射,从而改善了系统的EMI特性,简化了EMI设计。此外,芯片内部集成了温度保护电路,热补偿电路,限流电路,过压保护等多重保护电路,以保证LED灯的工作环境正常,延长其使用寿命。

  芯片可应用于直流输入和交流输入等典型应用领域。直流输入典型应用中,宽输入电压范围宽达6V~36V。输入电压为12V时,可串接 1~6个 LED,系统外围元器件非常少,仅需要7个元器件,非常适合应用于12V电源系统。在交流输入MR16射灯的典型应用中,输入电压范围为AC 12~24V时,仅需要11个外围器件。

  士兰微电子是我国目前少数几家在特殊工艺领域以IDM模式运作的电路设计企业,从2001年起,已先后在杭州下沙经济技术开发区建立了两条集成电路芯片生产线,投入了巨额资金进行了特殊工艺的研发,目前在0.8微米BiCMOS / BCD工艺技术平台、新器件结构上已经取得了领先的研发成果,已经建立了跨工艺和设计的技术平台建设的能力。这些先进的系统综合能力的建设将有利于士兰微电子在功率半导体技术领域优势产品群的形成。

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