传台积电取消32nm工艺直接上28nm

据称，全球第一大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺，算上一直不顺利的40nm工艺真可谓是屋漏偏逢连夜雨了。

　　台积电方面尚未就此发表官方评论，不过已经有多个消息来源确认了这一点。

　　不过这并不意味着台积电的新工艺研发就走进了死胡同。

　　事实上，台积电在今年八月底就已经在全球首家成功使用28nm工艺试制了64Mb SRAM单元，并在三种不同工艺版本上实现了相同的良品率。

　　按照规划，台积电将在明年前三个季度分别开始试产28nm高性能高K金属栅极(28HP)、28nm低功耗高K金属栅极(28HPL)和 28nm低功耗氮氧化硅(28LP)三种新工艺，这样就根本没有32nm工艺的空间了，但是根据台积电此前的说法，在32nm工艺阶段研发中取得的很多成果都会用于28nm，比如硅氧氮化物(SiON)/多晶硅(poly Si)材料。

　　另一方面，业界客户对32nm工艺的需求并不高，但整个半导体行业对全代工艺28nm的热情却相当高涨，既有台积电，也有IBM技术联盟、东芝和NEC等，只有Intel准备独自跨越到22nm，不过那是为其处理器产品准备的。

　　如果这样看，与其说是台积电取消了32nm，倒不如说是跨过了这一阶段。

　　当然了，40nm工艺上的深刻教训也让我们对台积电缺乏足够的信心，但愿在28nm工艺上能够一切顺利。