微电子所科研人员受邀参加Diamond2010国际会议

　　9月5日至10日，中科院微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）GaN课题组陈晓娟、罗卫军、庞磊、袁婷婷四位科研人员应邀赴匈牙利布达佩斯参加2010年度Diamond国际会议（21stEuropeanConferenceonDiamond,Diamond- LikeMaterials,CarbonNanotubes,andNitrides）。
　　
　　陈晓娟、罗卫军、庞磊、袁婷婷四位科研人员的会议论文涵盖氮化镓材料、氮化镓功率器件结构设计、器件工艺和器件模型等方面。会上，他们详细介绍了中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室在氮化镓微波功率器件研制方面所取得的研究成绩，并且近距离地接触和学习到了世界科技前沿，拓展了国际视野，激发了创新思维。
　　
　　 EuropeanConferenceonDiamond,Diamond- LikeMaterials,CarbonNanotubes,andNitrides是国际上氮化物材料生长和器件研制方向的顶级会议之一。大会分为全体会议（Plenarysession）、专题讨论会（WorkshopSession）、热点专题会议（FocusedandPanelSession）、口头报告（OralSession）、展板（Poster）以及众多参展商参与的展会（IMSExhibition）。会议中，与会人员与微电子所四位科研人员在氮化物材料生长、材料物理、器件工艺和器件物理等领域进行了详细的学术探讨和交流。
　　
　　本次大会共有255人参会，其中大陆学者共7人。此外，美国海军国防实验室、哈佛大学、英国剑桥大学、日本先进科学技术研究院等国际知名高校和研究机构都派出科研人员参加了此次大会。陈晓娟等四位科研人员受邀参与此次国际会议，充分说明中科院微电子所微波器件与集成电路研究室经过多年的科学研究和积累，在氮化镓微波功率器件研制领域突破了许多难题，在该领域的国际地位得到了巨大提升，国际影响力日益提高，相信这将对国内氮化物材料和器件的应用科学研究工作起到巨大的推动作用。