东芝推出具备更强去饱和感测功能的智能栅极驱动光电耦合器

东京–东芝公司（东京：6502）存储与电子元器件解决方案公司今天宣布推出全新的智能门驱动光耦"TLP5214A"，该产品用于驱动中功率IGBT和功率MOSFET，改进了当前"TLP5214"产品的去饱和传感特性。已经开始量产。

TLP5214A最新集成了去饱和前沿消隐时间、过滤时间和软关断性能优化等特点。这些特点有助于通过抑制开关和去饱和传感过程中的短时脉冲噪声确保应用的安全执行。

鉴于2016年度东芝的销售额市场占有份额高达23%，东芝被最新的Gartner市场报告评选为领先的光耦制造商。（来源：Gartner"2016全球半导体设备及应用市场份额"，2016年3月30日）

东芝将继续根据市场趋势开发不同的光耦和光继电器产品组合，满足客户的各种产品需求。

应用
·IGBT／MOSFET驱动

·工业变频器

·太阳能逆变器

·伺服放大器

·变频空调

新特点
·DESAT前沿消隐时间：1.1μs（典型值）

·DESAT过滤时间：90ns（典型值）

·软关断时间（tDESAT（10%））**: 7μs（典型值） 当前项目[1]: 3.5μs（典型值）
**在Cg = 25nF时

主要规格
（除非另有规定，Ta = -40 ~110℃。所有典型值的测量温度是Ta = 25℃。）

注

[1]当前项目：TLP5214