微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 行业新闻动态 > 英飞凌800V CoolMOS P7系列设立效率和散热性能的新基准

英飞凌800V CoolMOS P7系列设立效率和散热性能的新基准

时间:08-20 来源:3721RD 点击:

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出800V CoolMOS P7系列。该800V MOSFET基于超级结技术,兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用,可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑,这种拓扑常见于适配器、LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。

800V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品,这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数,包括Eoss和Qg降低50%以上,以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的最低 RDS(on)值,从而实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。

易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力,从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的最小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top