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东芝推出具备50V额定输出和8通道漏型输出的晶体管阵列

时间:08-01 来源:3721RD 点击:

东京-东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布,将启动新一代晶体管阵列"TBD62183AFNG"和"TBD62183AFWG"的样品出货,该系列产品搭载适用于多种应用的DMOS FET[1] 型漏型输出[2],包括光电耦合器控制、LED照明、继电器驱动和电平位移器。

批量生产计划于2016年9月底启动。

这些新产品实现30V额定输入和50V额定输出的高压驱动,适用于各种电平位移器,并且可通过高压控制信号直接控制光电耦合器、LED和继电器。其将8通道漏型输出集成到小型表面贴装型封装(SSOP18和SOL18)中,在实现多电路控制的同时节省了空间。

新产品采用DMOS FET型输出,输入引脚无需基极电流,可实现低输入电流操作(0.1mA(最大值))[3]和低功耗。它们还具有与达林顿双极型晶体管饱和电压(Vce (sat))属性类似的输出特性,因此可用于替代东芝TD62083A系列的现有双极型晶体管。

新产品的主要特性
高压驱动
绝对最大额定输入为30V,额定输出为50V。通过电平位移器和高压控制信号实现直接控制。

输入电流减少
实现低输入电流(0.1mA(最大值))操作和低功耗。

满足各种需求的封装
该系列产品包括支持表面贴装的SOL型封装以及节省空间的小型SSOP(0.65mm脚距)封装。

应用场合
游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动设备和工厂自动化设备)

与现有产品相比

现有产品
TD62083AFNG/FG
ULN2803AFWG

新一代产品
TBD62083AFNG/FWG

新一代产品
TBD62183AFNG/FWG

工艺

双极工艺

130nm BiCD工艺
未来标准技术

引脚分配

相同引脚分配

功能

相同功能

额定输入

30V

30V

输入电流

1.35mA(最大值)@VIN=3.85V

0.1mA(最大值)@VIN=3V

输出结构

双极型晶体管

DMOS FET

额定输出

50V/0.5A

50V/0.5A

50V/0.05A

输出特性

Vce(sat)=0.8V@IOUT=45mA
达林顿双极型晶体管特性

VOUT=0.1V@IOUT=45mA
高效驱动

VOUT=1.0V@IOUT=45mA
类似于达林顿双极型晶体管Vce(sat)的特性

封装

FNG型: SSOP18
FG型: SOP18
FWG型: SOL18

FNG型: SSOP18
FWG型: SOL18

产品阵容

注1:DMOS FET:双扩散型MOSFET
注2:漏型输出:电流漏型输出(拉式输出)
注3:在VIN=3V的条件下

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