东芝推出具备50V额定输出和8通道漏型输出的晶体管阵列
东京-东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布,将启动新一代晶体管阵列"TBD62183AFNG"和"TBD62183AFWG"的样品出货,该系列产品搭载适用于多种应用的DMOS FET[1] 型漏型输出[2],包括光电耦合器控制、LED照明、继电器驱动和电平位移器。
批量生产计划于2016年9月底启动。
这些新产品实现30V额定输入和50V额定输出的高压驱动,适用于各种电平位移器,并且可通过高压控制信号直接控制光电耦合器、LED和继电器。其将8通道漏型输出集成到小型表面贴装型封装(SSOP18和SOL18)中,在实现多电路控制的同时节省了空间。
新产品采用DMOS FET型输出,输入引脚无需基极电流,可实现低输入电流操作(0.1mA(最大值))[3]和低功耗。它们还具有与达林顿双极型晶体管饱和电压(Vce (sat))属性类似的输出特性,因此可用于替代东芝TD62083A系列的现有双极型晶体管。
新产品的主要特性
高压驱动
绝对最大额定输入为30V,额定输出为50V。通过电平位移器和高压控制信号实现直接控制。
输入电流减少
实现低输入电流(0.1mA(最大值))操作和低功耗。
满足各种需求的封装
该系列产品包括支持表面贴装的SOL型封装以及节省空间的小型SSOP(0.65mm脚距)封装。
应用场合
游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动设备和工厂自动化设备)
与现有产品相比
现有产品 | 新一代产品 | 新一代产品 | |
工艺 | 双极工艺 | 130nm BiCD工艺 | |
引脚分配 | 相同引脚分配 | ||
功能 | 相同功能 | ||
额定输入 | 30V | 30V | |
输入电流 | 1.35mA(最大值)@VIN=3.85V | 0.1mA(最大值)@VIN=3V | |
输出结构 | 双极型晶体管 | DMOS FET | |
额定输出 | 50V/0.5A | 50V/0.5A | 50V/0.05A |
输出特性 | Vce(sat)=0.8V@IOUT=45mA | VOUT=0.1V@IOUT=45mA | VOUT=1.0V@IOUT=45mA |
封装 | FNG型: SSOP18 | FNG型: SSOP18 |
产品阵容
注1:DMOS FET:双扩散型MOSFET
注2:漏型输出:电流漏型输出(拉式输出)
注3:在VIN=3V的条件下
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- 东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND(04-26)
- 东芝预计下半年闪存芯片需求将回弹(07-13)
- 东芝将推出超紧凑封装低噪音200mA LDO稳压器(11-07)
- 东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器(01-10)
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