微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 行业新闻动态 > Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

Diodes全新100V MOSFET优化以太网供电应用

时间:09-19 来源:3721RD 点击:

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电(PoE)系统的开关,能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。

在局域网路由器及中跨设备等供电设备内,100V N通道MOSFET把电源接到五类或六类网线。然后网线就会借由消除供终端设备内的电源降低成本,并提供电力和数据。该器件还保障了终端用户,因为以太网电缆供电提供44V到57V的应用范围,符合60V的安全特低电压 (SELV) 额定值,毋须严格的终端设备隔离和认证之余,还能简化系统保养。器件在这些电压下工作可尽量降低I2R损耗,有助于增加输往终端设备的供电量以及提升效率。

DMN10H120SFG MOSFET通过100V的 BVDSS额定值,为48V以太网供电提供充足的净空。它还扩展了安全工作区 (SOA) ,能够承受因以太网线缆折断等短路故障而耗散的电力,直到供电设备控制器检测到故障并关机为止。MOSFET在这种故障状态下会以线性模式工作,并需要耗散30W的功率至少20毫秒,即使在高达+60°C的工作温度下仍能实现。

DMN10H120SFG采用节省空间的PowerDI3333封装。Diodes亦为广泛的100V DMN10H系列提供SOT23、SOT223和TO252 (DPAK) 封装选择。以采用TO252封装的抗雪崩DMN10H099SK3为例,它完全通过非箝位电感开关测试,确保能够在线圈、电机及继电器等开关电感负载承受能量脉冲。

DMN10H系列MOSFET各以一万个为出货批量。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top