高效率LTPoE++ PD控制器集成了正激式/反激式控制器

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出LTPoE++、PoE+和PoE兼容受电设备(PD)接口控制器LT4276，该器件面向需要2W至90W功率的应用。LT4276集成了一个PD控制器和一个隔离式开关稳压器控制器，能够在辅助电源的支持下以正激和反激式拓扑实现同步工作。这种集成通过减少组件数量和所占用的电路板面积，简化了前端PD设计，从而允许LT4276A(LTPoE++)、LT4276B(PoE+)和LT4276C(PoE)仅用一个IC高效地为PD负载供电。

通过将功率预算扩展至4个新的功率级(38.7W、52.7W、70W和90W)，凌力尔特的LTPoE++标准扩展了对如今那类功率非常高的应用之支持，例如微微蜂窝基站、标牌和室外安防摄像机。与集成功率MOSFET的传统PD控制器不同，LT4276控制一个外部MOSFET，以显著地降低PD产生的总体热量并最大限度提高电源效率，这在较高功率级时尤其重要。这种新方法允许用户按照应用的具体热量及效率要求调整MOSFET，从而允许在必要时使用RDS(ON)低至30m?的MOSFET。100V额定输入电压意味着，LT4276很容易承受最常见的以太网电压浪涌而不被损坏，并针对这种浪涌保护PD。

LT4276有工业和扩展温度级版本，分别支持–40°C至85°C和–40°C至125°C工作温度范围，采用符合RoHS标准的小型28引线4mm x 5mm QFN封装。LT4276的千片批购价为每片2.25美元，已开始批量供货。LT4276提供了从凌力尔特现有PD产品升级的途径，包括LT4275 LTPoE++ PD控制器，LT4276还可无缝地连接至任何凌力尔特最新的PSE控制器，包括单端口LTC4274、4端口LTC4266、8端口LTC4290/LTC4271芯片组和12端口LTC4270/LTC4271芯片组。LT4276还可以与LT4321理想二极管桥式控制器一起使用，以最大限度提高可用功率，并减少在PD产生的热量。

性能概要：LT4276

具正激/反激式控制器的IEEE 802.3af/at和LTPoE++ 90W受电设备控制器 LT4276A支持以下所有标准： LTPoE++ 38.7W、52.7W、70W和90W 符合IEEE 802.3at (25.5W) 规范 符合IEEE 802.3af (高达 13W)规范 LT4276B符合 IEEE 802.3at/af规范 LT4276C符合 IEEE 802.3af规范 出色的浪涌保护(100V 绝对最大值) 宽结温范 (–40°C至125°C) 低至9V的辅助电源支持 反激式操作无需光隔离器 外部热插拔(Hot Swap)N沟道MOSFET用于实现最低功耗和最高的系统效率 利用LT4321理想二极管桥可实现>94%的端到端效率 采用28引线4mm x 5mm QFN封装

本文给出的美国报价仅供预算之用。各地报价可能因当地关税、各种税款、费用以及汇率不同而有所分别。