IDT公司全新混频器减小失真降低功耗达30%

美国加利福尼亚州圣何塞，2014年11月10日 - IDT公司（IDT）今天宣布推出一款新的低失真、低功耗射频（RF）混频器F1178，可为LTE和TDD系统提供低失真的射频技术，同时降低系统的功耗。在IDT公司快速增长的RF产品系列中，新增加的F1178可改进IP3O多达8 dB，相对于竞争的混频器产品，F1178可降低功耗达30％。

作为IDT公司 "零失真"双混频器系列中的一员，IDT F1178是一款以5V单电源供电的高性能RF至中频（IF）混频器。该混频器经设计优化工作于3300 - 3800 MHz RF频段的接收器，理想适用于基站无线卡、中继器、分布式天线系统和微波设备等等。

IDT F1178具有极低的功耗，可减轻对射频卡的散热要求，其超高IP3可用于高增益前端。从电源加电开始，F1178可以保持本振LO的阻抗恒定, 从而可以具有快速的建立时间, 用户可以在TDD接收时隙之间关掉混频器，从而进一步降低功耗。

IDT公司无线产品定义和市场营销高级总监Chris Stephens评论说："IDT公司广受欢迎的双混频器产品系列中新增业界期待的新产品，客户可以依靠我们产品的高性能快速设计部署3.5 GHz频段的解决方案。F1178凭借其极低的IM3失真，可显著改善射频卡的性能。客户采用F1178双混频器，就像他们在较低频带采用我们的混频器一样，可以用较高的RF增益运行他们的系统以提高信噪比，同时保持优良的IM3失真。"