业内第一款集成FBAR滤波器和低噪声放大器的GPS前端模块产品
时间:10-11
来源:EDN
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Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,推出业内第一款结合薄膜腔声谐振(FBAR, Film Bulk Acoustic Resonator)滤波器和高增益低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier),可以带来卓越性能的高度集成微型化GPS前端模块产品。Avago的ALM-1912在微型化的紧凑封装内集成了低噪声放大器和高抑制能力前置滤波器,带来一个可以有效简化各种广泛GPS手持式产品应用设计,完整、紧凑并且高性能的GPS射频前端模块产品。
Avago的ALM-1912主要面向移动电话、个人导航设备(PND, Personal Navigation Device)和其他具备GPS功能的应用设计,这款GPS前端模块採用2.9 x 2.0 x 1.0mm微型化MCOB封装供货,将印刷电路板佔用空间降到最低,非常适合空间受限的应用。在ALM-1912中集成FBAR前置滤波功能让这个模块可以在Cell、PCS以及WiFi/Bluetooth频带提供良好的抑制能力,这款GPS前端模块并有效利用了Avago的0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺技术,在典型2.7V和6mA的工作条件下带来1.62dB的噪声指数、19.3dB增益、+1.5dBm输入三阶截点(IIP3),以及超过50dBc的带外抑制能力。
同步式(S-GPS)和其它适地性GPS服务都需要较高的接受器灵敏度,Avago的ALM-1912具有超低噪声指数和高线性,有助于大幅度改善GPS手持式应用的灵敏度。模块中并包含有CMOS电平兼容关机引脚,可以通过开启或关闭放大器来进行电流调整,内置的前置滤波器使用Avago技术领先的特有FBAR滤波技术,提供Cell/PCS和WiFi/Bluetooth频带优异的抑制能力,使得它成为强化手机和其他移动设备中S-GPS运作GPS接收性能的理想解决方桉。
ALM-1912在射频输入引脚上内置有分流电感来强化ESD保护,让器件可以在射频输入引脚承受超过3kV人体模型(HBM, Human Body Model)的ESD静电冲击,通过将GPS低噪声放大器以及前置和后置高抑制能力FBAR滤波器加以集成,这款高性能ALM-1912模块可以简化并缩短射频设计流程,节省使用的器件数,并带来GPS应用中非常关键的卓越射频性能。
功能特点
?1.62dB超低噪声指数
?FBAR前置滤波器提供卓越的Cell/PCS/WLAN频带拒斥能力,强化手机效能表现
?低外加器件数
?射频输入和输出完全匹配
?关机电流< 1μA
?CMOS电平兼容关机引脚
?射频输入引脚ESD保护> 3KV
?可通过单一外部电阻或电压调整偏压电流
?内置分流电感强化ESD保护
?采用先进的GaAs E-pHEMT和FBAR技术
?采无卤素材料设计
?采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求
Avago的ALM-1912主要面向移动电话、个人导航设备(PND, Personal Navigation Device)和其他具备GPS功能的应用设计,这款GPS前端模块採用2.9 x 2.0 x 1.0mm微型化MCOB封装供货,将印刷电路板佔用空间降到最低,非常适合空间受限的应用。在ALM-1912中集成FBAR前置滤波功能让这个模块可以在Cell、PCS以及WiFi/Bluetooth频带提供良好的抑制能力,这款GPS前端模块并有效利用了Avago的0.25μm GaAs增强模式pHEMT工艺技术,在典型2.7V和6mA的工作条件下带来1.62dB的噪声指数、19.3dB增益、+1.5dBm输入三阶截点(IIP3),以及超过50dBc的带外抑制能力。
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同步式(S-GPS)和其它适地性GPS服务都需要较高的接受器灵敏度,Avago的ALM-1912具有超低噪声指数和高线性,有助于大幅度改善GPS手持式应用的灵敏度。模块中并包含有CMOS电平兼容关机引脚,可以通过开启或关闭放大器来进行电流调整,内置的前置滤波器使用Avago技术领先的特有FBAR滤波技术,提供Cell/PCS和WiFi/Bluetooth频带优异的抑制能力,使得它成为强化手机和其他移动设备中S-GPS运作GPS接收性能的理想解决方桉。
ALM-1912在射频输入引脚上内置有分流电感来强化ESD保护,让器件可以在射频输入引脚承受超过3kV人体模型(HBM, Human Body Model)的ESD静电冲击,通过将GPS低噪声放大器以及前置和后置高抑制能力FBAR滤波器加以集成,这款高性能ALM-1912模块可以简化并缩短射频设计流程,节省使用的器件数,并带来GPS应用中非常关键的卓越射频性能。
功能特点
?1.62dB超低噪声指数
?FBAR前置滤波器提供卓越的Cell/PCS/WLAN频带拒斥能力,强化手机效能表现
?低外加器件数
?射频输入和输出完全匹配
?关机电流< 1μA
?CMOS电平兼容关机引脚
?射频输入引脚ESD保护> 3KV
?可通过单一外部电阻或电压调整偏压电流
?内置分流电感强化ESD保护
?采用先进的GaAs E-pHEMT和FBAR技术
?采无卤素材料设计
?采用 Pb-Free 环保无铅设计并符合 RoHS 标准要求
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