Diodes 推出适合LCD背光应用的新型MOSFET 器件
时间:07-11
来源:与非网
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Diodes 公司进一步扩展其多元化的MOSFET 产品系列,推出15款针对 LCD 电视和显示器背光应用的新型器件。新器件采用业界标准的TO252和SO8 封装,具有高功率处理和快速开关功能,可满足高效CCFL驱动器架构的要求。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示:"30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装,适用于推挽式逆变器,可比分立式元件节省更多的空间。对于需要一对互补器件的全桥和半桥拓扑,DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 沟道 MOSFET 组合。"
扩展的 TO252 MOSFET 产品系列能为配备多组灯的背光应用提供优化的导通电阻和栅电荷性能,符合更高的功率处理要求。9款新型 N 沟道器件和3款新型 P 沟道器件的漏极源电压为20 - 60V。
Diodes Incorporated简介
Diodes Incorporated为标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 公司,是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通信、工业和汽车制造业。Diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、针对特定功能的阵列,放大器和比较器,霍尔效应传感器, 以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件, 以及USB电源开关、负载开关 、电压监控程式及马达控制器等特殊功能器件。
Diodes总部设在美国德州达拉斯市;在南加州设有销售、市场、工程及物流办事处;在达拉斯、圣荷塞、台北、英国和德国设有设计中心;在密苏里州坎萨斯城及英国曼彻斯特设有晶圆制造厂;在上海设有两家制造厂、在德国诺伊豪斯设有一所,另于中国成都设有合资工厂;在香港、台北及曼彻斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处;并在世界各地设有销售与支持办事处。
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权表示:"30V 额定双N沟道DMN3024LSD 采用SO8 封装,适用于推挽式逆变器,可比分立式元件节省更多的空间。对于需要一对互补器件的全桥和半桥拓扑,DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 沟道 MOSFET 组合。"
扩展的 TO252 MOSFET 产品系列能为配备多组灯的背光应用提供优化的导通电阻和栅电荷性能,符合更高的功率处理要求。9款新型 N 沟道器件和3款新型 P 沟道器件的漏极源电压为20 - 60V。
Diodes Incorporated简介
Diodes Incorporated为标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 公司,是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通信、工业和汽车制造业。Diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、针对特定功能的阵列,放大器和比较器,霍尔效应传感器, 以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件, 以及USB电源开关、负载开关 、电压监控程式及马达控制器等特殊功能器件。
Diodes总部设在美国德州达拉斯市;在南加州设有销售、市场、工程及物流办事处;在达拉斯、圣荷塞、台北、英国和德国设有设计中心;在密苏里州坎萨斯城及英国曼彻斯特设有晶圆制造厂;在上海设有两家制造厂、在德国诺伊豪斯设有一所,另于中国成都设有合资工厂;在香港、台北及曼彻斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处;并在世界各地设有销售与支持办事处。
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