英飞凌推出场效应晶体管600V CoolMOS C6系列

英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V Cool-MOS™ C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

C6系列是英飞凌推出的第五代CoolMOS™金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。英飞凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列产品的基础上，进一步提高了开关速度并降低了导通电阻。CoolMOS™ C3是一个应用非常广泛的产品系列，而CP系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。