Vishay 推出不对称功率MOSFET系列的首款SiZ700DT
时间：05-26
来源：与非网
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Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性，比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm，比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。
在PowerPAIR型封装出现之前，工程师在设计用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、POL、低电流DC-DC转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的DC-DC转换器时，只能使用两个独立的器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。
例如，常规双MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约是30mΩ，最大电流不到10A，因此不是可行的方案。单MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。除此以外，高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立MOSFET间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。
由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。
器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。
性能规格表：
SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将在5月实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的"财富 1,000 强企业"，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供"一站式"服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
在PowerPAIR型封装出现之前，工程师在设计用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、POL、低电流DC-DC转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的DC-DC转换器时，只能使用两个独立的器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。
例如，常规双MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约是30mΩ，最大电流不到10A，因此不是可行的方案。单MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。除此以外，高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立MOSFET间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。
由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。
器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。
性能规格表：
SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将在5月实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。
VISHAY简介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的"财富 1,000 强企业"，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供"一站式"服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。