100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。

这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。

LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114V 时还可以工作。另外，该器件在 7.2V 至 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。

LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装，以 1000 片为单位批量购买，每片价格为 1.69 美元。

100V 高端/低端 MOSFET 驱动器 性能概要：LTC4446 • 高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器 • 最高电源电压为 100V • 非常适用于双晶体管正激式转换器 • 高压开关应用 • 大驱动电流：在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流 • 7.2V 至 13.5V 的栅极驱动电压 • 高端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 5ns • 低端栅极：驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns，下降时间为 3ns • 为栅极驱动电压提供欠压闭锁 • 耐热增强型 MSOP-8 封装 凌力尔特公司简介 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 创建于 1981 年，是一家高性能线性集成电路制造商。凌力尔特于 1986 年成为一家上市公司，并于 2000 年成为由主要上市公司组成的 S&P 500 指数的成员之一。凌力尔特的产品包括高性能放大器、比较器、电压基准、单片滤波器、线性稳压器、DC/DC 变换器、电池充电器、数据转换器、通信接口电路、射频信号修整电路、uModuleTM 产品以及其它众多模拟功能。凌力尔特公司的高性能电路可用于电信、蜂窝电话、如光纤交换机的网络设备、笔记本电脑和台式电脑、计算机外围设备、视频/多媒体装置、工业仪表、安全监控设备、包括数码照相机、MP3 播放器在内的高端消费类产品、复杂医疗设备、汽车用电子设备、工厂自动化、过程控制、军事和航天系统等领域。如需了解更多信息，请登录www.linear.com.cn 。