新的篇章：创造、颠覆

公司在创立初就展现了强大的创造力，发明了不少颠覆性的新产品，对半导体行业影响深远。

1958年发明了平面集成电路，采用薄膜淀积方式将分立器件互联，并在1961年获得专利，并从此开启了集成电路时代。 电阻-晶体管逻辑 (RTL) 产品 — 置位/复位触发器 — 是该行业首个可作为单片生产的集成电路，这是诺伊斯的杰作。

赫尔尼也是佼佼者，他像变魔术一般把硅表面的氧化层挤压到最大限度。公司制造晶体管的方法也与众不同，首先把具有半导体性质的杂质扩散到高纯度硅片上，然而在掩模上绘好晶体管结构，用照相制版的方法缩小，将结构显影在硅片表面氧化层，再用光刻法去掉不需要的部分。扩散、掩模、照相、光刻，整个过程叫做平面处理技术，它标志着硅晶体管批量生产的一大飞跃。在1959年发明的泪滴状的平面型晶体管意味着半导体产业掀开了新的一页。

在60年代初，公司开始研制MOSFET，令MOSFET稳定的量产成为可能。

1963年成功开发了第二代 RTL 产品，即双栅设备首次采用了埋层隔离技术。

同时在1963年还开发了了两款革命性的产品，直到今天以这两款产品为基础的IC依旧在大量使用，你知道是什么产品吗？请看下集！

RTL集成电路