竞逐MRAM主导权 三大阵营变换阵法
时间:01-08
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全球半导体业者为了执掌下一代存储器芯片主导权,竞争逐渐白热化。
根据日本"日经新闻"(Nikkei)报导,东芝(Toshiba)与韩国SK海力士(SK Hynix Inc.)最快将于2016年年度携手量产下一代存储器芯片MRAM(磁性随机存储器),量产时间比美国半导体大厂美光科技(Micron Technology US-MU)计划的2018年提前约2年时间。
东芝与SK海力士正在研发的MRAM,其特征是即使关掉电源,数据也不会消失。与目前广泛使用于个人电脑、智能手机与其他装置的DRAM(动态随机存取存储器)相比,MRAM资料贮存量是DRAM的10倍,但耗电量却仅有2/3。
改用MRAM可延长装置的电池寿命,加快大量数据传输速度,例如影音档案等,并可让电池与其他零组件实现小型化,将促进穿载式装置,例如眼镜型与手表型电脑的开发。
报导指出,东芝与SK海力士于2011年开始携手开发MRAM,并计划于2014年会计年度开始提供样品。样品将由位于首尔郊外的SK海力士工厂生产。
如果需求可期,2016会计年度将会在韩国启动量产,东芝与SK海力士还将讨论筹组合资公司,打算投入1000亿日元(9.4亿美元)资金,在日本或南韩开辟专门生产线。
目前竞逐MRAM研发的可分为三大阵营,除东芝与SK海力士的日韩联军外,美光现正与东京威力科创(Tokyo Electron)等20家左右的美、日半导体业者展开合作,力争在2018年实现量产。
存储器龙头三星电子公司(Samsung Electronics Co.)仍维持自主研发路线,但将积极加强产学合作。
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