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台湾半导体储存行情爆发 出现集体涨停场面

时间:06-05 来源:互联网 点击:

近日消息,台湾半导体储存行情继续爆发,包括品安(8088.TW)、力广(2348.TW)、威刚(3260.TW)、钰创(5351.TW)、商丞(8277.TW)等在内的台湾记忆体、DRAM闪存大厂再次出现集体涨停"壮观"场面。

台湾半导体储存概念股新一轮行情启动于5月末。5月28日,DRAM模组收入占比超过9成的力广率先封死一字涨停,其后华亚科、钰创、品安纷纷跟上。最后,台湾第一大记忆体模组厂威刚亦加入涨停队列,3日盘中股价一度达新台币66元,涨幅达6.2%,并创下34个月来新高价。至此,半导体储存行情全面爆发。

DRAM一再缺货旺季提前爆发

台厂本轮行情爆发的主力催化剂依然DRAM缺货。

根据台湾半导体投研机构反映,包括智能手机、云计算、大数据、可穿戴科技等一系列新兴产业的爆发,导致闪存第3季(台湾跟美欧一样,财报提前一季反映)严重缺货。

动态随机存取记忆体(DRAM)第3季缺货情况更为严重,主流2Gb DDR3现货价创下1.81美元新高。全球最大记忆体厂三星电子因为优先供货给自家行动装置及Ultrabook,6月起将全面减少对台湾及大陆的记忆体供货。

此外,中台湾昨日发生规模6.3地震,位于中科的瑞晶及华邦电,以及厂房位于林口的南科及华亚科,均传出破片问题,未来2个月内的DRAM供给量恐将减少5~10%,主流的2Gb DDR3现货价率先创下1.81美元新高,近日内可望看到2美元天价。

业界人士认为,记忆体旺季行情已提前在6月引爆。威刚科技董事长陈立白表示,在没有新产能开出下,第3季动态随机存取记忆体(DRAM)市场将持续缺货,情况将较第2季更严重,储存型快闪记忆体(NAND Flash)也在固态硬碟、智慧手机及平板电脑强劲需求带动下同步缺货,第3季DRAM及NAND价格上涨行情还没结束。

华亚科此前召开股东常会,董事长高启全指出,在智慧手机及平板电脑市场需求依然强劲带动下,DRAM市场缺货情况至少可望延续至今年底,甚至延续到明年。高启全表示公司没有扩产计划。

事实上,内存在今年一季度已经紧缺。据市场调查机构集邦科技提供的数据,一季度DRAM市场主流的4GB模组合约从年初15.75美元一直攀高至23.5美元,涨幅达49.2%。2GB顆粒合约均价更是从0.83美元一直攀高至1.31美元,大涨近六成。

当时内存缺货正源于去年下半年急速爆发的智能手机需求带动。而从目前情况,该驱动因素一年后非但未有缓解,反而更加强烈。

新科技产业需求旺盛

根据全球市场研究机构TrendForce调查,2013年第一季全球智能型手机出货量预估为两亿1,000万台,传统淡季下相较去年第四季仍有9.4%的成长。

三星自家手机需求大增已造成多芯片封装内存(eMCP)出现供应吃紧的情况,推估三星供货减少将连带影响中国厂商智能手机出货进度。由于一季度各元器件厂商普遍开工不足,导致内存、显示屏等器件供应紧张,国内手机厂商不得不加紧备货应对。

5月中旬有消息称,苹果向其内存供货商尔必达广岛工厂发出的巨量订单,几乎占其产能一半,占苹果DRAM芯片需求的三成。分析认为苹果此举主要为新款iPodtouch、MacBook Pro等新品作储量准备,同时制衡三星,防止三星在DRAM领域完全达成一家独大。

除智能手机、平板电脑外,像云计算、大数据、3D眼镜等新产业的崛起,也对未来内存形成潜在需求。

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