DDRx的阻抗
时间：10-02
整理：3721RD
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今天猛然间看到，DDR走線的特性阻抗設計50~60歐姆，DDR2設計50歐姆，DDR3設計40歐姆，这样子对么?
都按50欧设计的路过.
DDR3設計40歐姆 应该是地址线. 这些线走线都比数据线粗
DDR那里的数据线与地址线之类的一般是按50ohm设计的，时钟线走的差分 就要做100ohm的差动阻抗控制了。