半导体器件的电气过应力和静电放电故障——第二部分

有许多因素都可导致EOS和静电放电（ESD/EOS）产生，譬如欠佳的片上保护电路设计与布局、技术、生产工具、制造和装配工艺、运输以及设计人员电路板设计等现场应用等。设计人员在应用过程中，可能会因瞬变、接地不正确、电源电压与地面之间的低电阻路径、电源引脚或地面短路、内部电路受损等原因出现ESD/EOS现象。对于IC而言，如果其所处环境超出数据表规范，则最终会发生故障。如果IC在数据表规范范围内工作，则其组件的内部条件是不会产生EOS损坏的，因此，EOS损坏只有在条件异常时才会出现。测试和处理设备时如果接地不正确就会积累静电荷，这些电荷在接触IC之后，立即通过IC传递。

ESD测试模型

虽然半导体器件包括EOS保护电路，但是为了确保其满足JEDEC标准规定的有效性和可靠性要求，必须开展ESD测试来检查零部件是否合格。ESD测试主要有3个测试模型：HBM（人体模型）、CDM（充电器件模型）与MM（机器模型）。HBM仿真人体放电产生的ESD。人体被认为是主要的ESD来源，通常采用HBM描述ESD事件。CDM仿真带电器件接触导电物质后放电。MM则仿真物体向组件放电。该物体可以是任何工具，也可以是生产设备。下文会对各个测试模型进行详细描述。

人体模型（HBM）

人在走路时会产生电，但这些电都会进入地面。每走一步都会积累电荷，我们可以采用下列方程式来表示该电荷：ΔV/Δt = n Δq/C，其中，n表示每秒的步伐数，C表示人体电容。请设想一下绝缘地面上的常见情形，结果表明，每走一步ΔV就会增加300V，10秒内达到3kV左右（注：部分电荷泄漏）。

在HBM测试中，我们采用了简单的串联RC网络，如图3所示，用来仿真人体放电。我们使用1MΩ的电阻给100pF电容器充电，然后使用1.5kΩ电阻对其进行放电。大部分HBM事件都是破坏性的，而且上升时间快。因此，采用快速上升时间脉冲可以更加精确地仿真HBM放电事件。

图3：ESD--HBM测试设置与电流波形图

所产生的热量取决于电容、DUT电阻以及ESD脉冲的峰值电压。所产生的热量会引发金属线熔化等热损坏。在HBM测试中，无论IC出现哪种形式的故障模式，栅氧化层、导电棒与结点一般都会损坏。图3给出了测试设置和电流波形图的特征。首先串联1MΩ电阻和100pF电容器，然后施加高电压。电容器充满电后，通过1.5kΩ电阻放电至DUT引脚。