DDR3仿真时，应如何选择control端和DDR3端的ODT？

DDR3仿真, ODT

是在问怎么在软件中选择不同的ODT还是问的选择哪种ODT比较好?
IBIS模型中每个signal会对应一些不同的model，在软件中选择model就行了。
DDR3有上下限，过冲不能超过1.9/-0.4mV，还要保证跟逻辑电平之间有裕量，选择个中间的就好了。或者你可以看一下电流，综合考虑一下功耗，ODT阻抗越小功耗越高。

DDR3 150 与DDR3 175有什么区别。谢谢

问题请描述清楚点，不知道你在说什么

应该是AC150和AC175,这两个都是AC阈值电平，基于这一点是没有区别的，只是ac175要求的电平越高就显得更严格，所以频率越高的时候就会采用AC150的电平标准。

正解，这才是我要的答案，谢谢

VIH（AC）和VIL（AC）在JEDEC手册中有说明，不同速率，采用不同电压阈值