关于阻抗匹配与掏空的问题

一般USB的差分线的阻抗是90欧姆，DDR的差分线的阻抗是75欧姆，据说这个阻抗难做得到，也可以通过掏空的方法来达到要求，请问这个掏空是在所有层都掏空呢?还是只是在参考层呢?按照我的理解，应该是只要在参考层就可以啦，因为主要是把它的回流面积给放大了来达到目的的，不知道是不是这样子?另外还有一个问题，天线的阻抗一般是50欧姆，为什么也需要掏空呢?这个掏空的作用又是什么呢?

其实我们常用的差分线是可以有参考层，这样阻抗好控制，并且还有回流平面，所以不是很建议掏空。但是有的时候天线，变压器下面为什么掏空呢，主要是担心地平面对变压器和天线造成耦合，并且天线的设计阻抗控制是完全利用电感，电阻，电容在上面搭建网络，通过斯密斯原图原理来设计。