微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微波和射频技术 > RFIC设计学习交流 > 为什么要根据gm-id~id/w的曲线来定w呢?

为什么要根据gm-id~id/w的曲线来定w呢?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
ee214的课件上的那个单管放大电路设计例子里就是这样确定内nmos的w的,是很快,可是为什么要这样做呢?

管子其实就三个自由度,W/L/ID;
或者可以变换成,L/Iden/ID,Iden为单位W/L的电流密度;
L/Iden确定以后,gm/Id、ft、单位w的cgs、vn、vos都可以确定了。此部分对应关系很难用简单加减乘除算的很准
但是下一步引入ID的时候,由于就是典型的并联关系,所以可以很简单的直接计算,压根不需要仿真器;
gm/id方法的本质我认为把管子的参数的求解分成两部分,无法用手算的靠仿真器搞定,可以用简单计算搞定的单独提出来用简单计算来遍历,希望达到设计自动化;
相比完全用仿真器来遍历三个维度,gm/id起码少了一个维度的自由度

谢谢了!我体会一下。

设计自动化,会不会威胁到模拟工程师这个职位?

说实话,假设做一个运放,确定架构,只要能准确提出各个设计目标映射到各个器件的约束,我觉得设计自动化是肯定能实现的。用gm/id类方法确定初始点,然后用local optimize在初始点周围遍历确定优值。
瓶颈只是在于一开始怎么确定怎么把设计指标与器件指标之间的映射关系;还有就是一些经验性的的东西怎么写入约束;以及机器optimize算法怎么提高效率;
可能等什么时候AI跨界跨过来了的话,估计就能实用化了;
说实话,就方法学而言模拟远远落后于数字,芯片也远远落后于软件;

其实跨过来也没事,反正最懂模拟电路的还是模拟电路工程师,只是那个时候我们的设计能力会大大加强吧。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top