Oxide breakdown, TDDB, Hot carrier injection, Electron Migration

常見到Foundry的文件(Qualification report)有在作一些Device reliability的東西
像是Oxide breakdown, TDDB, HCI and EM
有沒有人知道這些項目要怎麼測
還有就是結果代表的意思是?
謝謝

这些是为了衡量产品的可靠性所进行的测试项目
测试都是通过电学加速寿命实验
具体的你可以去查MOSFET reliability相关的paper