微波EDA网,见证研发工程师的成长!
搜 索
首页
微波射频
射频和无线通信
天线设计
硬件设计
PCB和SI
通信和网络
测试测量
应用设计
研发杂谈
研发问答
首页
>
研发问答
>
微波和射频技术
>
RFIC设计学习交流
> 高位high side n ldmos的source端是怎么实现高耐压的?
高位high side n ldmos的source端是怎么实现高耐压的?
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
ISO与drain连高压,source端是不是靠红色的p-epi与蓝色iso环之间反向的pn结的耐压实现耐高压的?
这是东部的工艺
上一篇:
ADC动态性能测试问题
下一篇:
PDK参数修改上限下限值
高位
耐压
high
side
ldmos
相关文章:
求高位R-2R ADC
ADC(SAR结构)高位寄生电容对ADC的增益误差没有影响?
求耐压值为30V功率MOS管SPICE或SPECTRE模型
请问NMOS的Gate Oxide击穿和Vgs耐压有什么区别?
关于如何在spectre中检查管子是否满足耐压条件
急,串联电容耐压的设计问题
栏目分类
移动通信
微波和射频技术
无线和射频
PCB设计问答
硬件电路设计
嵌入式设计讨论
手机设计讨论
信号完整性分析
测试测量
微电子和IC设计
热门文章
大家在cadence中怎么测试电路
PMOS管的小信号模型与NMOS的相
constant gm偏置电路有什么好
Cadence IC 615用MMSIM12.1
hspice 中瞬态仿真(tran)使
用HSPICE仿真LSTB问题
hspice 2013 错误invalid
hspice 波形仿真显示no dat
Copyright © 2017-2020
微波EDA网
版权所有
网站地图
Top