带隙基准启动电路

带隙基准原启动电路在快速启动时，输出电压先升到vdd然后降到正常值，主要由于启动电路的关断由启动电路电容充电时间决定，而非带隙电路控制，因而改变启动电路，采用反相器加nmos结果导致电路震荡，请问该如何处理?

华大九天的Aether吧……
又是比赛题目?

左边这个反相器要做的很不对称，P很弱很弱，保证翻转阈值在VthN附近。反相器的输出还可以加个电容。

试了一下，加电容确实是可以让电路正常工作的

xuexi

请问转换阈值为什么需要在Vth附近呢?

加稳压电容

因为要那这个反相器检测vref是否启动，vref启动后1.2V，所以反相器阈值要在1.2V以下，考虑到工艺温度影响，尽可能做到VthN附近，这样才保证不影响正常工作。
这个基准电路有改进的地方。
1. 最上一排PMOS gate到VDD建议加电容，可以用PMOS做电容。改善PSRR。
2. Vref输出一般是一定要加电容稳压的。

谢谢您的回复，学习了

谢谢分享

赞赞赞

学习学习

学习学习

学习了。