请问这种bandgap降噪方法是否可行？
很好奇diode是如何切断噪声传递路径的,原理是什么,另外,diode本身引入的白噪,散射噪声,闪烁噪声怎么处理呢?
我擦，这图一看就是RDA的路子啊。
不可以，那两个diode会阻断你的DC bias 通路。再说你这个diode怎么做，如果是用mos做，其实是电阻的功能。但是可以把他们换成RC filter。
能看出出处?
哈哈哈哈哈哈哈哈哈……你怎么看出来的
diode两端压差大于阈值时，当作导线提供偏置；当压差小于阈值时，看作开路，隔离噪声；noise summry显示diode基本不引入噪声
BOSS也是说怕影响偏置！
但事实是当diode两端压差大于阈值时，不论哪一端更大，都可以导通提供偏置；而且由于支路电流由BJT和Res决定，上端的偏置电压会非常精确地确定，而下端的偏置电压被diode隔离后，会偏大，但是不会影响正常工作。用MOS连接完全可行，只是需要将sub接源……
以上是我的理解和仿真情况，请大神进一步分析和质疑
1.BOSS也是说怕影响偏置！
2.但事实是当diode两端压差大于阈值时，不论哪一端更大，都可以导通提供偏置；而且由于支路电流由BJT和Res决定，上端的偏置电压会非常精确地确定，而下端的偏置电压被diode隔离后，会偏大，但是不会影响正常工作。3.用MOS连接完全可行，只是需要将sub接源……
4.RC fileter需要的电阻、电容太大，面积代价太大，而且经过实际仿真改善效果没有该方法明显。
以上是我的理解和仿真情况，请大神进一步分析和质疑
如果是MOS应该可以，等效为大电阻。理想二极管肯定不行。
请问，NMOS的偏置是否可以采用相同处理?
我只是想不通RDA现在怎么还在用IBM的工艺?
感觉会出问题。比如给gate节点加个干扰再仿真对比一下。原电路gate对地电阻很小，电平基本被固定。新电路理论上二极管两端电压相等，但一旦有干扰，二极管很难提供电流，只有gate电压多跑0.6V以上才会近似固定住。
很常见啊，很多仪表或者音频前置放大都用这种方法降噪，不过瞬态响应变差，此gate容易受干扰
试过，但是对噪声基本没改善；你可以这样理解，最下面的NMOS的噪声是通过右侧cascode结构放大到上端的，而不是走左侧的导线连接，因为一般论文噪声都是等效为与栅极串联的电压源，从左侧上去没法继续向输出端等效传导。个人理解，多多交流
IBM的工艺?IBM用过这种电路结构?PS:这里用的是smic的工艺
给gate端加0或avdd的initial，都能快速稳定到其正确的偏置电压，而且非常精确（因为是由支路电流决定的）；该电路是有startup的，所以我个人觉得，如果gate偏置偏高会被startup拉低，如果偏低会被二极管充电（二极管另一端稳定电压会保持倍gate端高）
终于有大神见过这种结构了！我试过，给gate端加0或avdd的initial，都能快速稳定到其正确的偏置电压，而且非常精确（因为是由支路电流决定的）；该电路是有startup的，所以我个人觉得，如果gate偏置偏高会被startup拉低，如果偏低会被二极管充电（二极管另一端稳定电压会保持倍gate端高）请问小编，如果这种方法这么高效，而又基本不牺牲稳定性，为什么bandgap中没人用这种结构（无文献资料）?
电路没撒问题 ，双向二极管做切割。1/f和部分噪声没法使二极管导通，MOS 管栅端没电流（漏电大的低节点工艺估计要小心）。大干扰瞬态的时候也能被钳位到0.6。再进入反馈恢复状态。我只是有个疑问，这玩意能把rc省掉吗。不说外置C了。里面要是放个几百K电阻，50P电容效果也比它好吧。
这种结构下，在gate线上加电容，会进一步降噪……电阻的应该不用加了，这种隔离结构本身又可以带来大电阻，貌似。做过比较，不加diode时，加电容的影响很小
很怀疑，流片结果报告下。
mark，学习
我觉得这个就是利用截止形成的高阻做rc滤波，滤掉噪声效果和rc差不多的，只不过利用二极管或者mos管特性节省面积罢了。滤除噪声优于rc，但抗干扰不如rc，毕竟当干扰大于开启电压或者高频的时候就变成了低阻了。电位恢复很快我不是很理解，可能是gate电容比较小看不出来吧
我也认为容易受到干扰，这个电路的PSRR特性估计好不了
哥们你发私信问我，又拒绝别人给你发私信，我怎么回复你?