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vco降噪问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
本人设计一个24.4G的vco,互补结构,NMOS做尾电流源,1M相噪106dBc/Hz,功耗5.4mV,在电流源与共模点之间加电感,谐振在48.8G,相噪没什么变化,在上面电源与共模电之间加的话相噪反而变差了,请问这是怎么回事啊?

没人回答吗?急啊~

有图吗》?


这是图~

1.先搞清楚电感的自谐振频率在哪里,那么高频的vco,LC 又要在2f0,电感的模型支持吗?
2.一般这么高频的vco 都采用单nmos 或者单pmos 耦合的
3.最好把完整的电流镜带上,这样仿真出来的pn才更真实一些

偏压的好坏对相位噪声的影响很大的

1、自谐振频率是24.4G,但是加电感谐振在2w0后,频率w0会变大一点,电感选的是TSMC 0.18的库,谐振在2W0的话就是48.8G,电感可以啊2、我看的论文是一般是采用单nmos 耦合的,就想换个结构做做~
3、完整的电流镜也用过,因为有2个管子,每次调太麻烦了。感觉pn变化不大~

还有,我应该怎么降低噪声啊~二次谐波降噪不行吗?还是互补结构不行?或者用其他的降噪技术?

什么偏压,不好意思,能说清楚一点吗?

不要沉啊

1.我说的是电感的自谐振频率 不是vco的震荡频率 不知道你看过库里面的电感的应用频率没有
2.把完整的bias带上 才能真实的反应电路的性能
3.都几十GHz了 管子当然是越少越好结构越简单越好
4.相位噪声就和Q值有关二次谐波抑制 就是为了提高电路的Q值,选个Q值高的电感,足够大的摆幅也都是为了提高电路Q值
5.注意24GHz制约整个电路Q值的变成了变容管 而不是电感了
6. .18库的管子到24GHzmodel 会准吗? 这个真的难说
7. 没有十全十美的电路,工程师的工作就是meet spec,那么高频的应用下 1M下 这样的PN肯定是够用了
8. 怎么样画好版图 才是你要下功夫的




真的非常非常感谢~

那个电感的自谐振频率怎么看啊~还有,我用24G扫描电感,计算L是正值,是不是没达到谐振频率啊?

不要沉啊

那个电感的自谐振频率怎么看啊~还有,我用24G扫描电感,计算L是正值,是不是没达到谐振频率啊?

这个啥么LC滤波paper里有很多,以前自己仿过,效果不大,感觉就是个骗人的玩意,用来发paper的。流片测试才知道phase noise和输出功率相关性较大。而且加个电感 layout 也不好画呀。不知道其他人怎么看的?

但是我师姐用单MOS管结构,二次谐波降噪能降7~8dB,难道是结构问题?

仿真电感的电抗值 横轴是频率从正到负的拐点 就是电感自身的自谐振频率 也就说高于这个频率电感就成电容了

你的spec是多少频偏处多少相噪功耗要多少 频率范围是多少

固定频率值,扫描尺寸,得到电感值是正的,这样可以吗?
1M频偏-106dBc/Hz,功耗5.4mV,频率范围23.1~25.7 GHz。
是因为电感模型不准所以不能二次谐波降噪吗?但是有人做过,结构不一样,也能降噪呢,用的也是0.18um的电感。

固定频率在48.8GHz吗? LC谐振在2w0的目的是 为了形成高阻 组织2w0 能量泄露到底,如果滤波没有效果,原因只能是1.没有形成高阻 2。形成的高阻不在2w0。你好好想想吧~

我改变了电感的感值,相噪有变化但是变化不大,差不多,应该不是形成的高阻不在2w0吧?难道是没形成高阻,感觉不太可能啊。我发现我的尾电流源vds<vdsat,不在饱和区,这有影响么?我用一个MOS管做尾电流源,发现栅极越大,相噪越好,但是栅极变大就不在饱和区了,为什么?



看来你模拟集成电路也没学好好好看书吧有师兄师姐带吗

做电路要有感觉但是要 证明什么是什么不是跟人家说感觉怎么怎么样就行的要仿真结果的·····你证明给我看LC形成的高阻的在哪个频率把

我用TRAN仿了,在共模点几乎是2倍的基频,这能不能证明啊?请教一下,我是不是尾电流没设计好啊?

当然不能 ····· 共模点本来就是有二倍频波形的和你加不加电感 没关系

额,我不知道怎么证明,您能告诉我这个VCO设计哪里可能出问题了吗?

不加尾电流源 也能振的 相噪还更好呢!好好看一篇别人的硕士论文吧,感觉你做vco 不是在设计 而是在凑。
仿真共模点的阻抗 如果阻抗在2w0有一个明显的尖峰 说明是设计对了,一般 这个电感的Q值的要求和tank里的要求正好相反,小一些比较好,这样阻抗可以在比较宽的频率范围内 都可以高阻

我试试看,真的非常感谢~

话说大侠您做的VCO结果最后是啥呢,目前我也需要做个高频的VCO,(方便告诉我您的电路参数吗?方便的话请发我邮箱420462303@qq.com)如果需要好的相位噪声一般什么结构会好点,拜谢中

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