LDO的负载电流

这个问题可能比较简单。
Capless LDO的负载电流一般都不会特别大感觉，我经历的55nm工艺的最大是80mA一般也就是20mA，而WithCap LDO可以达到200—400mA。这应该跟稳定性有关，但我不清楚。
经验丰富的设计者们能否给与一些指点，不吝感谢。

对于CL-LDO，理论上来说负载电流越大，power transistor的size和gate capacitance也越大，gate capacitance大的话可以减小dominant pole的频率，有利于稳定性；但是确实看很多cap-less的paper的负载电流都不大。希望大神能够回答一下。

无电容ldo瞬态较差。多数负载都不是静态的，负载大了动态电流也大，跌落太多就满足不了了。