谁推荐一个VCO的buffer结构吧

最後一帖呢
敢恩ㄟ！

不需要片上电感。
差分振荡信号分别通过开漏MOS管输出，片外接200ohm电阻负载，交流耦合的片外Balun将差分信号转换为单端信号。

如果是VCO片内的buffer呢? 不用作拉出信号测试的buffer，用作隔离后续模块的buffer，这种结构适用么

请教下， 开漏MOS管是什么呢

片内LO Buffer结构：小电容交流耦合到自偏置倒相器。
开漏MOS管：源极接VSS或者VDD，栅极接振荡信号，漏极电流输出。

嗯，谢谢！paper上看到过这种结构self-biased resistor-feedback inverter
这种结构的S0点是不是需要适当的直流偏置点来保证输出信号50％的duty cycle?

这里的交流耦合电容和电阻要满足什么条件呢?这个电容和栅漏之间的电阻，应该形成一个从in到栅输入端的高通滤波吧?那么是不是只要电容电阻形成的极点远低于工作频率就可以了?
还有请问一下：
1. 如果PLL通过一个SCL的正交二分频产生4相正交信号，那么也可以用这个结构将正交信号buffer到mixer的本振端吗?
2. 关于PLL的buffer,可不可以将VCO输出直接接分频器（一个环路内的分频器和环路外的正交二分频器），然后正交二分频电路接buffer 到mixer 呢?

都是可行的。

赞一个唐老师！

但是每路信号都单独接这样一个buffer结构，那工艺的偏差会影响到I，Q信号的正交度吧?一般正交信号的ｂｕｆｆｅｒ也是用这种结构吗?
还有这种结构如何保证信号１：１的占空比呢?因为这会影响到下变频过程中ＲＦ信号到输出信号的直接溃通。　

reyige

谢谢Dr.Tang

vco输出直接mixer，不可以吧?应该先接一个BUFFER，再接mixer，隔离还是要有的。
个人观点

请教zwtang：
“开漏MOS管输出，片外接200ohm电阻负载”，那这个200ohm电阻为啥不做在片内呢?
另外，是否可以通过一个差分放大器加有源电流镜负载实现片内双转单，再通过开漏mos管输出，这样可以省掉片外balun?

期待 Dr. Tang 解惑

学习学习

好，谢谢！

受教了

直接用CML电平的缓冲就可以了或者 如果VCO输出时满摆幅就用反相器就可以 我就是用反相器还是5GHz的

thx！

非常有用的資料

叮叮咚咚叮叮咚咚叮叮咚咚

好贴啊

不錯的方法

200欧姆电阻从哪得到啊 是计算的吗

这帖子不错！

为什么后边还加一级反相器啊

不错 不错

正好需要，谢谢啊，请问AC 耦合是怎么设置电阻的