ESD困惑
两个NMOS，一个按照ESD rule画，一个就是普通的NMOS，都放在同一个PAD上
为什么按照ESD rule画的NMOS管就能起到ESD作用呢，或者说按照ESD rule画的NMOS管的BJT为什么更容易打开呢
因为我觉得普通的NMOS也有寄生的BJT，为什么普通NMOS的BJT就不容易打开呢
换种提法，两种NMOS，为什么大家都认为ESD NMOS就是低阻通道，而普通NMOS就不是呢
谢谢
你要想想寄生的BJT是怎么打开的，没有寄生的电阻，BJT应该打不开吧。
普通的NMOS，衬底也是接在PSUB的，也有寄生电阻啊
不对吗，我也搞不清
如果两者的路径都一样的话，其实不一定ESD rule的管子就会先通。
有资料说是ESD的NMOS先通吗?
有些用作普通用途的MOS即使做在电路内部也会做成ESD结构的呢！
确实没有看到这么做对比的
但是任和书，都是假设ESD管子是低阻通路，ESD电流就会先走ESD管子，所以我纳闷，为什么ESD管子就是低阻通路呢
你看看版图就知道啦，普通的NMOS和ESD结构的NMOS是不一样的，注意漏端到栅的距离。
版图不一样这个我是知道的
你说的，普通NMOS的BJT是打不开的，为什么呢
ESD加大漏端孔到栅的距离，是为了使每个finger能均匀打开吧
寄生的BJT打开是，先是DB的反偏PN结雪崩，然后以后衬底的寄生电阻，使得BJT打开
那么普通NMOS也有衬底的寄生电阻啊
为什么普通NMOS打不开呢
不加ESD电阻的话，感觉还是比较倾向于有一定概率会同时导通，不过是比例的问题。
普通尺寸的管子源漏极直接接ESD要加电阻，如果全部电流都流ESD，这个电阻就不用加了。
另一方面，也不是全部电流都流过普通管，例如VDD直接接ESD不用加电阻，如果全部电流都流过普通管，这个ESD管也不用加了。
以上是对于最常见的那种ESD管而言的。
我想LZ的意思是
如果两个NMOS管D端都与PAD直接相连，其中一个画成ESD rule，作为ESD保护管用，另一个按普通规则
为什么或如何使作为ESD管用的那个先导通，从而保证另一个管不被烧坏
我也想问..........
1，小编所谓的ESD管和普通管子的差异在哪儿? 尺寸?D端有SAB?ESD注入?
这是个好问题。看水木上也在同步解答，似乎比这里的解答质量好一点。我个人理解lz所说的esd rule，就是加大drain到gate距离，加sab。从感觉上来说这样只是为了帮助均匀导通，对触发电压的影响应该不大。对触发电压影响大的应该是gate上那个电阻，形成了RC结构帮助触发。所以如果同时在pad附近放置，没有其他帮助真不好说谁先开。也许这就是有些foundry的IO ESD不是那么好用的原因。
因为普通MOS管会有LDD结构，因此在LDD会有尖端，如果用作ESD管，会导致尖端先击穿而不是DB击穿。
ESD implant则是要消除LDD结构。
好好学习一下
学习了，好帖支持一下
电路是什么样的，如果就两个并联，一个esd画法，一个普通画法，那esd来的时候普通的直接坏掉了
学习了
消除LDD一般来说是 mos Rd rs 变大一些 , 还有一般ESD 如 ggnmos .
其实应说 esd device .
就是当发生时走 让esd 能量走掉用, 但是 不会烧掉 .
两个一样 nmos 如果不走 esd 改走一般 NMOS 那就烧掉 .
至於一般说低阻抗, 就是希望打esd 时, esd cell 看到比较低阻抗
可以优先走那条路 .
UHV (500v ~800v) ESD难做, 因为阻抗不低.
跟本都不知道该如何设计 esd cell.
不知道有没有 800V esd 设计.
首先这两个NMOS在电路上（NMOS本身还有各端的连结情况）是否完全一样?
如果不一样，那就cese by case讨论。
其次要看满足ESD rule的NMOS是否具有PESD注入（用来降低D端PN结的击穿电压）?如果有，那么满足ESD rule的NMOS先开启。
最后如果电路上完全一样，那么这两个NMOS均应该定义为ESD器件（直接和PAD连结的器件），版图上均应该满足ESD rule。否则由于LDD和salicede的存在，不满足ESD rule的器件一定先开启，且ESD性能受制于该NMOS，ESD性能应该非常差。
有问题可以发到http://bbs.eetop.cn/viewthread.php?tid=636026&extra=
看到就会回复。