关于沟道电荷注入问题

各位大神,你好！拉扎维书P341，讲到当MOSFET关断时，沟道多余的电子将从源极或漏极流出。但n沟道的形成是从衬底的底部吸入大量的电子而导致反型，这样沟道关断时多余的电子应该更多流向衬底啊。为什么是源极和漏极?

我觉得是这样啊，不知道对不对。拿NMOS为例，它的bulk一般都是接最低电压0，而NMOS开关两端的电压一般都高于0，于是在开关关断的时候，两端的高电压更容易吸引电子。