沟道leakage

当MOS不开启时，没有形成任何沟道，一般来说，这时的沟道leakage电流大小与面积成正比。但是增大length的长度，沟道leakage电流明显减少，但这是与面积成正比是相悖的，谁能给出指导吗?谢谢。

主要应该是pn结漏电吧。应该是sd到sub。

不看到SUB的电流啊
只看源漏方向的电流。

subthreshold 的leakage.

leakage是不是跟热载流子有关啊

个人认为两个方面，low vt mos在vgs=0时，mos可能不能真正关断，导致d to s漏电，另一个是punch through现象，vds较大的缘故，减小vds或增大channel length可减小punchthrough漏电。

莫非跟沟道调制效应有关?

长度增大面积大了吗? leakage指的是sd电流吧

可能是增大L之后，增加了粒子复合的可能性。

在相等的W之下，增大L。

这两个电流不一样，不相关

建议看看punchthrough现象的相关资料，punchthrough漏电与channel length有关，L大，此漏电小

沟道 leakage和 w 或 l的关系不一定是单调关系
小编说到leakage与面积的关系是指junction的面积，不是w*l

原来是这个样子的~

最近也在研究~

不错，从众位口中，知道了一些更深入的，我个人认为：
漏电流分为两种，一个是poly到sub，二个是d到s
这里面说的与面积有关是指的第一个，而增大L是指的第二个。

直接当成电阻看就行了

One of the phenomonums of short channel length: Lower Vth (than Vth of long channel device)
Increasing L -> less short channel effect. -> higher Vth than that of short channel device
Then subthreshold leakage becomes smaller (due to higher Vth).