弱问：为什么沟道变短，mos的速度上升？

我想这只是直观的理解，仔细地分析应该从mos的特征频率ft来看，ft的表达式是与mos的L成反比的（这个可以从书或者论文中得到），
所以说L越短，mos可以处理的信号频率就越高，速度也就越快了。

L小了，电容小了...

加上一句，导通电阻也小了，
而且Cox增大导致Vth减小了，所以震荡幅度减小。
反正一切都向提高带宽方向发展。

还是有点不太明白，为什么Cox会随着L的变小而增大呢，从公式上看，L在分子上感觉应该是减小
才是啊（前提是tox has no change）。
麻烦LS解释下，thanks

因为tox减小，所以Cox就增大了。
我这样说的是随着工艺尺寸变化而变化的，也就是说0.13工艺的cox大于0.18工艺的cox。
在同一工艺当中当然Cox会保持不变的。

电容小了

我是新手 跟帖问一问
2#说的特征频率fT是什么意思啊
4#说的Vth减小了，所以震荡幅度减小。为什么?
麻烦解释一下
谢谢！

学习要扎实，要一点点积累，态度是好的！

ft:transition frequency
ft=gm/(2pi*Cgs)
Cgs=2/3LWCox
therefore L decrease then ft increase

parasitic capacitor is reduced

电容小了，充放电时间短了，所以速度快了吗?

学习一下