Cox是如何计算的

各种工艺的tox不一样

二氧化硅介电系数除以栅氧化层厚度

Cox=氧化硅的介电常数/tox

tox可近似认为L/50
Cox=Esio2*50/L

高中学的电容公式啊。
C=e0eA/d
把oxide的介电常数和厚度代进去算就好了

硅的相对介电常数可按3.9算
Tox在器件的模型中一般可以查到

电常数又叫介质常数，介电系数或电容率，它是表示绝缘能力特性的一个系数，以字母ε表示，单位为法/米(F/m)
　　定义为电位移D和电场强度E之比，ε=D/Ε。电位移D的单位是库/二次方米(C／m^2)。
　　某种电介质的介电常数ε与真空介电常数ε0之比称为该电介质的相对介电常数εr ，εr＝ε／ε0是无量纲的纯数，εr与电极化率χe的关系为εr＝1＋χe。
　　真空介电常数：ε0= 8.854187817×10^-12 F/m
SIO2的相对介电常数为3.9（半导体物理上有）
Cox = esi / tox
注意这里的tox单位是m
结果是0.000892F/m^2
以上是smic18的库计算的
razavi的可以用高中的知识 cox反比于TOX
则可以P13页求出表2.1中的cox=3.83fF/um^2

该书好像
KN=134
kp=38
答案中有的地方变化了，可能不是一个人做的

well，海之子给的很经典。
个人PS一句：基本单位化为fF/um^2是不错的选择。
对吧?后来人请评判~

是这样的，一般管子model都会默认一些参数，当我们不清楚是，你可以做一个简单的仿真，最简单的方法就是单管NMOS放大器，因为我们可以直接得到ID,然后反推回去，即可算出UCox值。具体参见http://www.chip123.com/phpBB/viewthread.php?tid=11818482，我也是刚学，希望能帮到你。

楼上解释的好经典。连这个都能讲解其中的来历。都能够分析，看来中国的电子技术不低，我每次都是记数字的

呵呵，相同地方卡住的帮顶

上面 說的都很對 如果要靠simulation double check 也可以
就是串 兩組R C 灌上 電壓 看 工藝的cox 跟里想c 的波形 一樣時 就可以反推得到..

well，海之子给的很经典。
个人PS一句：基本单位化为fF/um^2是不错的选择。
对吧?后来人请评判

学习一下

我印象中：0.18um的1.8V的管子好像是约8fF/um2，3.3V的管子好像是约4fF/um2，
0.25um的2.5V的管子好像是6fF/um2，不知道楼上算得是1.8V的管子还是3.3V的管子?

学习学习

此回答打败了数以百万计的竞争者，犹如

第二版的书里，13页上面有句话：“tox=50A时，Cox=6.9fF/um2，对于其他的的氧化层厚度，可依比例确定”。不过按照这个说法，根据32页上的参数值，算出kn=434，而很多答案里面kn用的是134，至于用哪个，自己看着办吧~

真的非常感谢，一下就理解了