请教一个adc芯片反向提取的结构

小弟最近提取了一个电源管理芯片中辅助adc的结构，是一个sar结构，它的最前端驱动电路用的是一个轨对轨输入，classAB输出级的结构，再结成跟随器结构，发现两个比较特殊的地方。一是构成它第二级的一个n管和p管的栅长都取的很小，基本上就是最小线宽，但这个运放的其他管子栅长都比较长，2u或者3u。二是同样是第二级的这两个管子，做成了ESD形式，就是漏极和栅极的距离很大，但是它的输出并不是接在pad上的，而是进入了内部的下一级，我觉得这应该不是抗静电的作用。这是我觉得的两个比较特殊的地方。请各位大侠指点指点啊

帮顶一下

贴电路阿，看不懂你说的。

光在这里说，你自己明白啊，别人怎么知道

是啊，上电路图来看啊。

无图无真相

1# goat_xdg
就是这种结构，结成了跟随器结构，逆向的那个版图采用的是普通的rc补偿，我说的输出管就是最后一级那两个管子M25和M24，请各位大侠指点指点啊

自己顶一下,期待高人解答啊

7# goat_xdg
典型的词不达意，说了半天，问题都没有描述清楚
从图上看是典型的CLASS AB opamp，yahuja compensation
没有什么特别的地方，M24 和 M25都很正常

不知是哪里词不达意,原理图上是看不出来的,我说的是M24和M25两个管子的版图实现比较特殊,一是栅长取的很小,只有0.35uM,但是运放其他管子的栅长是2uM或者3uM,二是这两个管子的栅源距离较大,象ESD管的结构,这两点是我不理解的地方,不知我表达明白没有

这个运放需要低输出阻抗，以驱动后面的电容或电阻阵列，通常取最小L，达到有限的面积获得最大的驱动能力

恩，说的有道理，再更正一下，这两个输出管是栅漏的距离做的很大，很像ESD管的结构，不知是什么作用

如果输出电流有可能很大的话， 可能是为了限流，或者保证每个finger电流一致， 类似于esd中的ballast电阻。

依我估计是不是本来CLASS AB的运放本来的输出端是接到PAD的,第二级需要按照ESD的RULE,现在直接做为SAR的驱动级,LAYOUT工程师偷懒了,不修改直接拼上算了

agree with this point:
如果输出电流有可能很大的话， 可能是为了限流，或者保证每个finger电流一致， 类似于esd中的ballast电阻。

sansen 的书啊

图中那两个是输出管，可能有ESD结构再里面，如果用的不对称管的话，基本上就是ESD结构。这是接到pad的情况。其实也不是所有不接pad就不要ESD，像这种如果后面接adc有很大的电容，通常也需要ESD结构。lz说得如果不是接到pad，也可能因为那两个管子估计要很大，所以面积比较重要，所以用最小L也无不可，符合rule就好了。又同时要匹配M25 M20 等于M22 M21，所以估计在drain上加个小电阻来平衡一下静态电流。
其实我觉得reverse大概看一下电路就好了，有些太细节的东西没办法深究。比如这个电路，也许设计师这个op就用了一个已有的电路，且原来这个电路是输出接pad的，性能到了，他也懒得改。

取0.35，是为了获得大的驱动能力；
source 、drain的距离也许只是和需match的管子保持一致；

难说。

ESD的ballast电阻是接在drain上的么?我怎么感觉是接在source上面的。

13# maplefire

恍恍惚惚恍恍惚惚hh

看了诸位的讨论，很是高深，哪位能告诉小弟一下，栅端离漏端比较远是什么意思啊?

不对称管，gate到drain比到source长一点

哪些应用中需要用到不对称管?

栅端离漏端比较远是什么意思?！
L漏远大于L源?
小编解释一下，要上图

看不懂啊

图例中M25是PMOS,M26是NMOS。
接成跟随器结构，是指实际版图中M25为NMOS,而M26为PMOS吗?
如果是这样的话，的确这两个MOSfets需要做成ESD structure。

你好，能否跟我说说你是用什么ADC芯片吗?我 的QQ是450105238，可否加加我，我最近也想反向设计ADC的芯片?

it is simple ！

agree with this point:
如果输出电流有可能很大的话， 可能是为了限流，或者保证每个finger电流一致， 类似于esd中的ballast电阻。