有逆向过美信的片子的人吗？

这里最特别的就是两个PMOS管的宽长比一样，这一点和普通的PTAT电流源不同，二极管连接的MOS管应该是提供电流使得核心支路电流平衡的，估计做过美信片子的人应该对这个熟，好几个片子美信都用了这个结构

但是我就是不知道这个电流公式怎么推，还有得到的电流源是与温度无关的，还是正的，还是负的，正常情况下，模拟非门的输出信号应该是高电平，个人觉得正常情况下，三极管应该是导通的，这一点和普通的热关断电路还不一样，这样通过电流平衡在模拟非门的输入端得到一个模拟电平使得输出为高，关于热关断，个人认为电流源应该是负温度系数电流，温度上升,VBE下降，而流过基极处到地的电阻的电流也下降，在一个温度点上，那个电阻上的压降小于VBE，使三极管关断，从而使模拟非门的输入端是比较高的电平，使输出为低，实现热关断。

估计那两个pmos管一个是增强型一个是耗尽型

有可能是根据左下角的NPN管Vbe和右下角的电阻来确定偏置电流.

电路不全,应该还有一部分.NPN管Vbe和右下角的电阻产生的负温度系数的电流和上面PMOS管产生的PTAT电流在中间那个电阻上相加产生基准电压.所以VBIAS偏置的电流应是PTAT电流(原因是载流子的迁移率是是负温度系数,所以可以使跨导随温度变化比较小).整个可能是一个MOS管的带隙基准.

我推导了一下产生的偏置电流的关系式,
通过KCL方程的确可以解出来电流,但是方程很复杂
是一个超越方程,基准电流分别在e指数项和好几个根号表达式里面
而且看不出来有低的温度系数,因为涉及到VTn和VTp以及好几个电阻
什么时候我把求出来的方程整理好了发上来,大家一起讨论一下

我推导的式子拍了个照片,贴上来
只是解的直流工作点的参考电流表达式
要求温度系数需要求偏导,很麻烦
照片可以图片另存到电脑上,放大了看才能看清某些字

楼上分析的有道理。
定性来分析，M5有启动的作用，但启动后不关断。由R1、R2、M1、M2、M3、M4、M5产生Iref，镜像到R4支路，R4监测Iref大小，经过Q1、R3组成的共射放大器放大后，反馈给M5。通过负反馈环路来确定偏置电流，大小约为Vbe/R4。

小编说的有点道理，
靠近INVERTER的M5二极管连接的PMOS似乎是启动电路，刚上电的瞬态响应过程给中间的电流镜中间节点充电，随着电压上升，最后启动电路M5关断。
但是如果是这样理解，则这电路似乎不完整

感觉小编没有画完

我也是觉得只是一个带启动电路的基准源电路，没有温度保护电路。

这个电流基准还是一般的偏置产生电路
对电流的要求高不高?
温度系数看不出来啊,而且还和电源有关系

如果只是一个普通的带启动的基准电路，那么两个PMOS管的宽长比肯定是不一样的，除非一个工作在线性，一个工作在饱和，但是工程上没有必要这么做，他上面的两组微调电阻估计应该是用来调温度系数的，还有整体电路中，没有发现其他地方有过热保护电路，作为一个集成功率管的DC/DC,没有过热保护似乎说不过去，电路图都是全的，这个模块产生基准电流的电流控制全局的偏置，全部偏置电流都由它往外镜像。不过我同意前面一位网友的意见，大小似乎可以近似IREF=VBE/R4,理论推导我也干过，太复杂，推出来跟VDD还有关系，不知道怎么回事！仿真调整主要是想调过热保护功能，基准电流是负温度系数，VBE也是负温度系数，只要在某一个温度点，基准电流乘上R4得到的值小于VBE，就能让三极管关段，模拟非门输出低电平实现过热保护，迟滞是当温度高的时候，VBE关段，它没有分掉R3的电流，使得基准电流较大，从而使得IREF*R4的电压较大，使得三极管导通的温度变高，好像是个顺时针迟滞啊！核心电路的那些微调电阻用来调整温度系数，使得温度下降的斜率比VBE快，不过这样也太没有必要了，弄个负温度系数的电流基准，误差不是太大了，不明白阿！美信的东西让人琢磨不透！

这个原来是DC-DC的Bias电流产生电路啊！
电流没有必要很精确啊！
DC-DC的输出到是要稳定,比如说3V+/-10%的输出\
至于温度过热保护电路,要看这个NPN管(这个模块)的位置,
因该在输出功率管的旁边的,
还有那个模拟反向器是什么东西?是不是比较器?
一般的电路的电流都会随电源的升高而升高的
DC-DC的精度要求不是很高吧,提供个原来片子的参数吧

PTAT电流的产生不是需要电流不等,而是需要电流密度不等,所以两个PMOS管相同有什么问题?只要一个流过一个三极管,一个流过N个三极管的并联就可以了.

问题是，两个PMOS管相同的话，它上面的电阻是不同的，那他们的电流肯定是不一样的，下面两个NMOS管相同，1：1的镜像关系肯定是没有了，两条支路的电流不同，而且支路电流和电源电压有关，这肯定不对吧！

你确定没有耗尽管?

M5应该是启动电路所的，启动前三极管基极被拉到零，三极管集电极电位很高，而当电路工作起来后，三极管的集电极电位被拉低，而M5要导通必须三级管集电极的电位是2倍以上的N管阈值，况且M5可能存在衬偏，正常工作时三极管集电极的电位没那么高了，所以M5仍然是可以关闭的

M5导通与否,就要看VDD和Bipolar上面的那个电阻了
但是,一般产生的偏置电流会比较小,比如10uA,所以在那个电阻上的压降
不会太大
100K电阻的压降为1V,所以M5管是很有可能导通的
就这个电路而言,如果图没有错的话,那么M5必然会导通,不然不满足电流关系
最后,不知道为什么大家一定要认为中间那两路的电流要相等?
难道教科书上都是这么说的,我们就一定要按照书上的来分析?
也太死板了吧
还有,做耗尽管,就意味着多一块掩膜版,划不来啊！(对于咱们穷人来说)

还有为什么一定要做的那么好的温度系数?
动辄10ppm,不知道大家算过没有,整个温度范围内能变化多少mV?
电源抑制比呢?电源上的噪声,纹波可不小啊,所以输出也会有很大的纹波
辛辛苦苦的TC一下就白搭了
个人的一点看法,希望和大家交流一下

高手，分析的很好

你的电路确实不全，其实在后面所接的东西才真正是温度关断和回滞

好东西阿。谢谢分享

回复 #23 henry_su 的帖子
很想知道后面的电路是什么啊
哈哈

慢慢学习。慢慢成长

不明白的是如何实现的热关断
三极管导通或者截止，电流源都是有输出的
三极管虽然有个导通阈值，但是也不是跳变的，如果靠电阻上的PTAT电流来打开三极管，那么在阈值附近会有波动
而且电阻本身误差是很大的，要得到稳定的性能恐怕很难

看不出是PTAT电流呀，有没有高手出来详细说一下。M5是不是一定要长开。而且感觉Q管是关断不了得

我是菜鸟一个，对高手总是肃然起敬对，看了贴子，一面遥望未来，一面感叹人生，欲说无语……

所以我说好象没有画完,如果每路电阻上面还各有个三极管的话就好理解了啊.1：1的镜像关系就成立了.

怎么什么都没有看见的啊哈哈