关于MOS管和BJT的耐压问题

比如说我在EDR文档里面查到某一NMOS管的BVds=40V，Vgs耐压5V，那这个MOS管的G、D、S所能接的最高电压是多少呢?比如说我Vs=10V，Vg=15V，Vd=50V这样接可以吗?还有就是文档里面写了测试条件，是不是测试条件不通，测试结果也不同呢?比如BJT的BVceo，一般都是B极开路，如果B极有电流，这个值会怎么变呢?

感觉每次发帖都是秒沉啊，真心求教

对于这个NMOS管你Vs=10V，Vg=15V时管子已经开启，你Vd你加到50V肯定电流过大烧坏管子。Vgs耐压5V就是栅源电压最大加到5V，再大的话就把栅氧击穿了。同样Vds=40V是说芯片关断的情况下VDS的压差可以承受40V，一般最大工作电压和击穿电压之间要预留一定的余量，根据具体电流来定，就像一般的0.5um硅栅MOS管推荐工作电压是3-5V，Vds击穿电压大概在11V了。

谢谢回答。也就是说在NMOS实际导通情况下，Vds是不能耐压到40V的，因为整个管子的功率会过高?那在设计时，我们如何确定Vds最多能达到多少呢?按照实际电流和功率计算吗?但是文档里面没有写功率限制

哎，感觉每次提问题都没什么人理啊

主要讲的都是相对电压。

做功率器件的foundry如果靠谱些，会提供一个SOA的图，表示在什么区域内器件可以正常工作。
一般看功率mos的datasheet，也可以看到类似的图，而且解释的相对仔细。
功率器件的SOA一般受pn结击穿，栅氧击穿，温度的限制，有时也受封装的限制。db，sb一般受pn结耐压限制，gs一般受栅氧击穿限制，ds稍微复杂些，有drift区。可以找本功率器件的书大概看看。但最可靠的办法还是多问foundry，问他们的测试条件。

那肯定的，测试条件不同差别还是挺大的，特别是温度

7楼正确答案。

BCD processvgs =LV Ds hi Volt
vgs < 5v
vds < 40
vsb?住是重点
除非 isolation device .
Bipolar 其实有 BvceoBvces.　光 base 串R / open会有些BREAKDOWN不同 .
一般都低耐压去看实际代工厂真量到 spice model 不一定真准
特别 BCD LDMOS很多崩溃不好建模做得不好 .
mos off Vds < 40,
但是 ON 要看流多大电流阿 sot23 package< 200mw
如果太大除烧IC 还可能 BONDING WIRE 烧断
还是 200mw 平均 如果 PEAK是可以　但是　可靠度 OLT 那类会出问题
现在 比以前好多 ,以前跟本没有网路可以问 , 也没有 google连 eetop 都还没诞生

围观学习。谢谢！

设计文档里面Vsb和Vdb都没有给，也没有给管子耗散功率的相关指标