cmos反相器的噪声容限问题

求助各位大神，书上说传输延迟时间越长，交流噪声容限越大。如图，如果提高电源电压，mos管的导通电阻会减小，从而传输延迟也减小，容限应该随之变小啊，为什么这个图交流噪声容限是随电源电压增大而变大。

没人吗

首先：噪声容限越大越好。
直观理解：VDD越大，抗躁能力更强，越不容易出错，也就是容限越大，图中是没有错的。
至于说传输延迟时间越大，交流噪声容限越大，这个不理解啥意思，图中除了电压变化，横轴是时间t，很明显随t的增大噪声容限在减小，不知道这两个时间是什么关系