问题---电流镜不是严格成比例
时间:10-02
整理:3721RD
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最近刚刚开始接触模拟电路,在设计电流源。发现了好多不懂的问题,特来求助。
图1是电路图;图2是各个管子的参数。
图1:
图2:
仿真结果发现,M2的电流=34.12uA,不是严格等于16.5uA的两倍。
问题1:是什么原因造成的呢?这个误差算大,还是算小?
问题2:当将M2设置成"2u/2u,m=2",便是严格两倍。这和"4u/2u,m=1"有什么区别吗?
问题3:u0(电子迁移率)和L值有很大的关系吗?不应该呀。但是从参数表里发现,确实和L有关系。
问题4:怎么看lambda(沟道长度调整效应 那个系数)?
新手,所以问题较多,请见谅。
谢谢各位指导!
图1是电路图;图2是各个管子的参数。
图1:
图2:
仿真结果发现,M2的电流=34.12uA,不是严格等于16.5uA的两倍。
问题1:是什么原因造成的呢?这个误差算大,还是算小?
问题2:当将M2设置成"2u/2u,m=2",便是严格两倍。这和"4u/2u,m=1"有什么区别吗?
问题3:u0(电子迁移率)和L值有很大的关系吗?不应该呀。但是从参数表里发现,确实和L有关系。
问题4:怎么看lambda(沟道长度调整效应 那个系数)?
新手,所以问题较多,请见谅。
谢谢各位指导!
问题1:是什么原因造成的呢?这个误差算大,还是算小?
4u/2u和2u/2u本来就不能做匹配,管子的参数都会随WL变化的。2u/2u×2和2u/2u才可以。
问题2:当将M2设置成"2u/2u,m=2",便是严格两倍。这和"4u/2u,m=1"有什么区别吗?
版图上不一样。
问题3:u0(电子迁移率)和L值有很大的关系吗?不应该呀。但是从参数表里发现,确实和L有关系。
速度饱和,各种散射都会使迁移率降低,一般沟道越短,迁移率退化越严重。
问题4:怎么看lambda(沟道长度调整效应 那个系数)?
lambda只是供手算的简单模型里面的参数,BSIM3中没这个,想看输出阻抗手动扫描看器件的gds吧
soga,真的非常感谢!谢谢了!
问题1:在仿真过程中,如果你使用three-terminal的管子就代表Body接在了VCC (PMOS)或是GND(NMOS)。所以在你仿真过程中你没有考虑到VSB对管子threshold voltage的影响。还有4u/2u 与 2u/2u 的width是2倍关系。但是你的effective length是不一样的。所以不匹配正常。其他问题的答案在楼下。建议你看Razavi的书讲的很清楚。
lambda=1/(VE*L)
i=1/2*unCoxW/L*(Vgs-Vth)2*(1+lambda*Vds)
学习!
MOS drain端電壓不同, channel length modulation.
thanks !study!