如果做出来一个500nA以下的亚阈值带隙，具体能用在那个模块？

三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管，但是在芯片设计中，如果采用亚阈值，就是用成品率来担风险的做法，一般不可取的，那么问题来了，这么低功耗的亚阈值带隙，除了发表论文和期刊，论证学术，到底能不能用在实际的电路模块中呢?大家来讨论下吧~

任何需要待机的模拟模块都需要。比如说超低功耗LDO,或者运放。

我是来学习的！

为什么三极管一般做不到这么低功耗，势必要用亚阈值的MOS管
有什么理论依据吗?

额……所以，不考虑成品率了吗?

我只是说500nA 以下的带隙很有实际用途，而且也用的不少，没有说一定用亚阈值来做。良率是工艺一致性和模型准确度决定的。

不用亚阈值，很难达到这么低的功耗，除非加电阻牺牲面积……

500nA不能算低功耗啊，现在低功耗系统待机都要求1uA以内

做过的都有感触吧，三极管功耗很大的

这倒是，哈哈，现在主张低功耗的都很夸张了~

500nA电流也太大了吧，能做到50nA才算小

用亚阈值mos在很久以前试过，但是都不能cover process variation，调好的温度系数在FF、SS下都shift的不成样子
我觉得亚阈值mos与bjt相比，也不一定功耗低很多，这取决于mosfet亚阈值的model和bjt model的准确性
如果bipolar model是准确的话，bipolar工作在10nA或100nA，也能让整体功耗控制在500nA 以内咯

有没有人做过这种bandgap? 结构，温飘，离散度如何?

很有道理，毕竟三极管利用的是比值的原理，mos管通常是为了节省面积才使用的，而亚阈值缺点太多了，温漂在工艺角上有残缺就不再提了，关键是电源抑制比也得不到基本的保证，这样对后面电路的噪声抑制基本没作为，感觉不是很适合放在芯片里。

我就做过啊，就是因为缺点比优点多了太多，所以才想发个帖子讨论讨论，温漂很难控制的，做好了一个工艺角，另外两个就得血崩，电源抑制比特低，还不好上去，电压调整率也废，优点就是功耗小面积小，可是其他参数都不好，有毛用……