关于cmos反相器组成的延时单元
串更多的反相器就可以了,中间加些cap可以增大延时,注意对称.
首先你要知道延迟产生的原因是什么：
印象延迟主要是两个：一个是rc的充电时间，一个是门的预置电压，这两个都是可以通过调整宽长比来实现。如果还是不够可以考虑在反相器上串一个电流源来实现
请问delay多久的时间才算够用?
几ns? 几十ns ?
现在我串了4个反相器，加上NAND2的话只得到80p左右的延时，而我又增加了4个，只达到120p多一点，而设计要求达到200p,这样的话用同样尺寸的反相器感觉会串好多啊
我想只通过调节反相器的宽长比来达到目的而不另加额外的元件，大家有什么经验么?
不多，应该多加
调整反相器尺寸，采用倒比管
坛子里一个文档的截图，很明了
TSMC65nm时，不交叠时间不要小于0.3ns，往上的话就要看时钟要求
俺一般都是一个L很大的反相器后面接一个正常的反相器用来整整形，然后再接一个L很大的反相器，再接一个正常的反相器整整形，如此交替，做成一个延时单元
多谢ls诸位，我去照着sumig的做做看
我一直以为在同一个模拟ic中最好不要变动L的值
注意留好余量
不过图里电路的时钟上升沿是不对齐的，可以在支路上添加与非门来实现时钟上升沿对齐，不过貌似设计中这个不是很重要~
学习中～～！
加电容，增大延时
INV中N和P的尺寸做成L=W即可，不过这种方式比较粗糙。
加小电容或者inv的充放电流恒定可控。
又学习了
咋个光用反相器啊 这个本身的延时非常的小哈
你加个电容嘛，就是mos管的
反相器的延时其实是可以忽略的
是指P n的比是反比嘛?
多串幾個就可以解啦…至於要多少才夠…通常我是抓100p左右…會隨corner會變多變少
倒比管！哈哈
沟道长度要足够大，延迟的效果才比较好
ddddddddddddddddddddd
请问0.5um工艺，延迟多少比较好呢
你好 倒比管是什么意思
你好 请问这个反相器上串联电流源是什么意思 求指导 多谢
首尾用小尺寸的反相器中间用大尺寸的大尺寸的可以只增大管子的L而W与小尺寸的相同这样版图也好画
不知道这个办法如何还请各位大神赐教
学习了
很有道理啊。
请问这个文档是什么?能分享下吗 谢谢。
请问门的预置电压怎么做呀?