求助关于电流镜偏置电路
1、我在设计折叠共源共栅运放时，是先通过GBW估计支路电流，每个管子的所需的Vdsat, 然后根据 Vth，计算所需的偏置电压。然后在用宽摆幅的偏置电路来得到偏置电压。
请问这样的过程是否正确?
2、请问是否电路镜中是否两个管子的L必需一样?
我觉得偏置电路的管子L可以大些，共源共栅电路的电流源管的尺寸要小一些（减小寄生），但这样形成的电流镜L是不一样的，是否可行?
3、看以前的帖子，发现有电流偏置和电压偏置的概念，请问有什么区别呢? 我自己看书没有注意到，请问哪里有介绍?
我在设置宽摆幅的偏置时，主要是调整管子的尺寸来得到想要的偏置电压，电流镜的匹配几乎没有顾及，这样几乎相当于固定电流调整W/L来得到电压，完全没有钳制，很担心这样得到的偏置电压是否精确、稳定。
顶，求指导啊
支持小编，学习了
再顶，求指点
。再顶
1、过程正确。我们在设计之前，会有很多单管的仿真，对工艺参数有一个定性定量的认识，如Vdssat、Id、W/L三者之前的关系；对于运放中尾电流肯定是用电流镜镜像过来；而其它的由共栅管的栅当然是用电压偏置，此时就需要计算栅级偏置电压。
2、电流镜中的两个匹配的管子，L肯定尽量保持一致，这里有两个原因：1、设计的L并不是实际的有效沟长；2、不同L的匹配性差。既然你的电流中的尺寸小以减小寄生电容，那偏置电路中管子为何不同比减小呢? 肯定是L一样匹配性好些。莫非你想的是，偏置管的尺寸大些，可以减小它的随机失调?你再细细想想。
3、电流偏置指的是用基准电流镜像给电路提供电流，电压偏置指用一个稳定的电压如基准给指定电路一个确定电压，再利用这个电压去设计你电路中所需要的电流。区别在于你的电路偏置过来的是电流还是电压。原则：全局用电流偏置，局部用电压偏置。
跟着学习了一下
讲的好啊 学习了
xuexile
学习了，最近调偏置发现还是有很多问题的
你好，请问下，典型的全差分折叠共源共栅运放，(左边是尾电流和输入差分对)，右边一共8个管，最上面的p管和最下面的n管用电流比例关系来偏置，中间那四个管偏置根据什么来定啊...希望有空能解答下，谢谢！
先根据确定的过驱动电压和阈值还有上下两管的Vds，确定一个值。再根据实际情况进行调整。例如增益，管子饱和情况什么的。
最开始需要确定的是你最上P管和最下N管的Vdssat，然后cascode管的Gate电压就应该是Vdssat+Vgs，当然这里也需要留一定的margin，可以稍大一些，比如多50mV. 具体的W/L就取决于你cascode管的I和Vdssat了，这个都是已知量了，所以可以求出来了。就现在而言，不推荐手算了，不准的，最好是基于单管的仿真结果来设计。对了L这里可以尽量小一些，可取最小的Lmin，因为这里不需要怎么匹配。仿真调试是最好的学习方法，建议你试试，goodluck！
谢谢，再请问下，你的步骤中没有涉及Av等这些，都是通过vdssat和i来求w/l,是不是先出w/l,再仿那些GBw,Av,PM等，然后再做再调整的(就是问下流程：假设运放给你的GBw,Av,Pm等指标，选定运放的结构后，先定I,vdssat来求w/l,然后仿Av哪些指标，再做调整，比如Av小增大gm)还有你说的单管仿真，是指做dc仿真看管子的operating points吗 谢谢！
你好，请问单管仿真..能具体点吗...我只会dc仿真时候看下operating points
OP参数的设计初始的推导都是从AV，GBW，PM等指标推出的，关于详细的推导你可以参考Allen的书；
关于单管仿真，一是设计过程中你需要得到采用的工艺下的部分设计参数，如VT，迁移率等等，类似于你说的op仿真；当然这些参数是可以通过读取工艺库文件得到，还可以通过单管的仿真得到，后者可以扫描得到各种情况下（conner,temp,L,W等）的参数值，举个例子：W/L，Vov，Id三者，固定其一，扫描得到另两者之间的曲线；另外有种设计方法叫基于Gm/Id设计，eetop上有不少资料，你可以搜搜，不过有点繁琐，我也没试过。
第二点中为什么匹配需要L相等，而不是W呢。
学习了
“全局用电流偏置，局部用电压偏置"这句话怎么理解呢?
全局用电流偏置 应该容易理解偏置电压经过长导线肯定就不准确了因为在导线上有消耗至于 局部用电压偏置 我觉得也不是完全正确电压偏置会有问题比如阈值随温度 以及不同工艺角的变化可能会导致尽管偏置电压精确但电流可能会很大的偏离理想值
W/L，VOV，Id 三者固定其一仿其他的曲线原理上可以理解，具体操作的有没有教程什么的，谢谢，初学者请见谅！
学习了
学习了谢谢大家