MOS管的特征频率随沟道长度和过驱动电压的变化关系？

它主要由栅极电容Cg来决定。由简化的小信号高频等效电路可以给出有ft = gm / 2πCg = 1 / 2π τ，即ft决定于栅极下载流子的渡越时间τ。
　　对于长沟道(μ为常数) 的器件：τ = L /μEy ≈ L2 /μVds，则ft = μ Vds / 2πL ；对于短沟道(漂移速度饱和为vs) 的器件：τ = L / vsL ，则ft = vs L / 2πL。 反比
　　若再计入寄生电容CL , 则截止频率为 ft = gm / [2π（Cg+CL )] = (1 / 2 π τ) [1 + ( CL / Cg )]-1 。
　　提高场效应晶体管ft的措施：增大跨导gm、减小栅电容Cg、减短沟长L、增大迁移率μ或饱和漂移速度vs。

说白了就是让device更快，那就减小L，增加Vgs

很感谢！

够精辟！

正解 fT正比于过驱动电压 ，与L的平方成反比

L减小了，Vgs也是减小啊

need more power to get additional speed

很不错。

有没有相关公式啊，请您列出来观摩观摩！

不错，学习了