tsmc.18工艺MOS管参数

Cox=氧化层介电常数ε/氧化层厚度tox
氧化层介电常数=真空介电常数ε0×氧化层相对真空的介电常数εr=ε0=8.85*10^-12 法拉/米(F/m) ×3.9
电子迁移率Un，氧化层厚度tox可查看工艺库文件

谢谢大哥！

谢谢，学习了

学习了

学习了！我想知道tox，μn具体查看那个库文件能查到。

model/hspice
打开模型文件找到NMOS管的模型定义，看U0即迁移率，看TOX知道栅极氧化层厚度然后可计算得知COX。
顺便说一下TSMC为了精确地描述器件特性，使用类似分段函数的办法，不同尺寸范围的管子使用不同的模型。
另外迁移率U和栅极氧化层厚度TOX都不是常数，都是在一定工艺范围内有一定偏差的。
手算只能估算了。可以在Cadence里画一个晶体管，然后用不同的VGS、VDS扫描打出一张图。
然后保存下来，为以后设计之用。此为工程之办法。

谢谢小编

感谢指点

请问tsmc.18工艺MOS管的沟道长度调制系数、体效应系数、闪烁噪声系数等工艺参数该怎么得到?

tsmc18rf的工艺文件，LZ可否发我一份luilanghai@qq.com