关于MOS管的衬底的接法

1.由于NMOS做在P型衬底上，故所有的NMOS的衬底都应该接gnd.
2.PMOS做在N阱中，这就有了两种选择：
一个是都直接接在vdd上，这样的优点是在版图中可以把所有的N阱相接，可以减小版图面积，缺点是会产生衬偏效应；
另一个方法是根据PMOS管的源端电位将其分为不同组，每组用一个N阱，并与其他隔开。但如果分组较多，如共源共栅放大器，就需要较多的N阱了。
所以我的问题是：1.怎样处理PMOS的衬底最好?
2.是否有N衬P阱的工艺?比如说那个厂商?二者的优缺点如何?

学习中，谢谢分享

hot-well的情况一般比较少用。

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