求助，关于高速SAR中关于版图采样电容的寄生问题？

我现在做一款流水线加SAR的ADC，总共40M，两级，每级是五位的SAR，第一级是共模不变型结构，单位电容采用61f的MIM电容，现在版图的测试结果是，二进制关系都没问题，但是由于采样时的信号线带来的寄生过大，导致SAR的总的电容变大，这会导致SAR的转换结果有较大的偏差，不知道有没有人遇到这个问题?请高手赐教，不胜感激。对了，工艺采用的是Chrt的.18工艺。

你是上极板采样还是下极板采样?

五位的差分，上级板采样，也就是每一边有32个单位电容采样，但是由于版图中采样的线上寄生电容大概有100f，但是我的单位电容也就61f，导致带来的误差太大

那就把采样电容加大啊寄生的影响就弱了

问题是速度就慢了，我的这种工艺寄生带来的延时本来就很大，由于目前前仿结果预留的余度已经很大了，我实在不想变动太多在电容上，因为这个东西的前仿性能应该在世界前列水平，后仿只是有些延时，有没有除此以外的一些方式呢?你们做SAR所采用的单位电容都是多大呢?因为理论上这个大小只是受限于失配以及噪声

高速SAR, 前防比后防快50% 也是正常的。后防结果很容易变成5年前的国际先进水平

1. 你说的误差应该不是跑MC之后的吧?
2. 误差可能是上极板采样造成的吧，可以换成下极板采样啊。

结构最好还是不要变化的好，优化一下版图，再加一点校准，可以尝试一下

高端的设计，俺也学习了

But how about if the error is caused by topology? If you insist on it then I have nothing to advise.

采样线上寄生Cap有100f，0.1pF了?有这么大?
你的走线很长嘛?MOS W/L 很大?可以把寄生减到20－30fF上下！

你是接手李冬的那个项目?

这个评价好犀利

这个寄生来源很多方面，线上也就二三十飞，但是还有连接的电容的上极板，还有相连的mos管的栅，这个来源很广泛，每个都是这么多，于是加起来就很多了

who know it ?！